二極管的特性與應用
幾乎在所有的(de)電(dian)子電(dian)路中，都要用到半導(dao)體(ti)二極(ji)管，它(ta)在許多的(de)電(dian)路中起著重要的(de)作用，它(ta)是誕生最早的(de)半導(dao)體(ti)器件之一，其應用也非(fei)常廣(guang)泛。
二極管的應用
1、整流二極管
利用(yong)二(er)極管單向導(dao)電(dian)性，可以把方向交(jiao)替變化(hua)的交(jiao)流(liu)電(dian)變換成單一方向的脈動(dong)直流(liu)電(dian)。
2、開關元件
二(er)極(ji)管在正(zheng)向電(dian)(dian)壓作用下(xia)電(dian)(dian)阻很小，處于導通狀態，相當(dang)于一只接(jie)通的(de)開關(guan)；在反向電(dian)(dian)壓作用下(xia)，電(dian)(dian)阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的(de)開關(guan)。利用二(er)極(ji)管的(de)開關(guan)特性，可以(yi)組成各種(zhong)邏輯(ji)電(dian)(dian)路。
3、限幅元件
二極管(guan)正向(xiang)導通后，它的正向(xiang)壓(ya)降基本保持不變（硅(gui)管(guan)為0.7V，鍺管(guan)為0.3V）。利用這(zhe)一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范(fan)圍內。
4、繼流二極管
在開關(guan)電源的電感中(zhong)和繼電器等感性負載中(zhong)起繼流作(zuo)用。
5、檢波二極管
在收音(yin)機中起檢(jian)波作用。
6、變容二極管
使用于電視機(ji)的(de)高頻頭中。
二極管的工作原理
晶體二(er)極管(guan)為(wei)一(yi)(yi)個(ge)由p型半導(dao)體和(he)(he)n型半導(dao)體形(xing)成(cheng)的(de)(de)p-n結，在(zai)(zai)其界(jie)面處兩(liang)(liang)側形(xing)成(cheng)空間(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷層(ceng)，并建(jian)有(you)自建(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)場。當(dang)不存在(zai)(zai)外(wai)(wai)加(jia)(jia)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)時(shi)，由于(yu)p-n 結兩(liang)(liang)邊載流(liu)子(zi)濃度(du)差引(yin)起的(de)(de)擴(kuo)散(san)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)和(he)(he)自建(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)場引(yin)起的(de)(de)漂移電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)相等(deng)而(er)處于(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)平衡(heng)狀態。當(dang)外(wai)(wai)界(jie)有(you)正(zheng)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)偏(pian)置(zhi)時(shi)，外(wai)(wai)界(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)場和(he)(he)自建(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)場的(de)(de)互相抑消作用使載流(liu)子(zi)的(de)(de)擴(kuo)散(san)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)增加(jia)(jia)引(yin)起了(le)正(zheng)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。當(dang)外(wai)(wai)界(jie)有(you)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)偏(pian)置(zhi)時(shi)，外(wai)(wai)界(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)場和(he)(he)自建(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)場進一(yi)(yi)步加(jia)(jia)強，形(xing)成(cheng)在(zai)(zai)一(yi)(yi)定反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)范圍內與反(fan)向(xiang)偏(pian)置(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)值無關(guan)的(de)(de)反(fan)向(xiang)飽和(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)I0。當(dang)外(wai)(wai)加(jia)(jia)的(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)高到(dao)一(yi)(yi)定程度(du)時(shi)，p-n結空間(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷層(ceng)中的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)場強度(du)達(da)到(dao)臨界(jie)值產(chan)生載流(liu)子(zi)的(de)(de)倍增過程，產(chan)生大量電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)空穴對(dui)，產(chan)生了(le)數值很大的(de)(de)反(fan)向(xiang)擊穿電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)，稱(cheng)為(wei)二(er)極管(guan)的(de)(de)擊穿現象。
二極管的類型
二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)種類有很多，按照所用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)半(ban)導體材料，可分(fen)為(wei)(wei)鍺二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)（Ge管(guan)(guan)(guan)(guan)）和(he)硅二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)（Si管(guan)(guan)(guan)(guan)）。根據其不(bu)同用(yong)(yong)(yong)途，可分(fen)為(wei)(wei)檢波二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、整流二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、穩壓(ya)(ya)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、開(kai)(kai)關二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、隔離二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、肖特基二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、發光二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)等。按照管(guan)(guan)(guan)(guan)芯結構，又可分(fen)為(wei)(wei)點(dian)(dian)接觸(chu)型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、面接觸(chu)型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)及(ji)平面型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)。點(dian)(dian)接觸(chu)型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)是(shi)用(yong)(yong)(yong)一(yi)(yi)(yi)根很細的(de)(de)金屬絲(si)壓(ya)(ya)在光潔的(de)(de)半(ban)導體晶片(pian)表(biao)面，通以脈沖電(dian)(dian)(dian)流，使觸(chu)絲(si)一(yi)(yi)(yi)端與(yu)晶片(pian)牢固地燒結在一(yi)(yi)(yi)起，形成(cheng)(cheng)一(yi)(yi)(yi)個“PN結”。由于(yu)是(shi)點(dian)(dian)接觸(chu)，只允(yun)許(xu)(xu)通過(guo)較小的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流（不(bu)超過(guo)幾十(shi)毫安），適用(yong)(yong)(yong)于(yu)高(gao)頻小電(dian)(dian)(dian)流電(dian)(dian)(dian)路，如收音機的(de)(de)檢波等。面接觸(chu)型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)“PN結”面積較大(da)，允(yun)許(xu)(xu)通過(guo)較大(da)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流（幾安到(dao)幾十(shi)安），主要用(yong)(yong)(yong)于(yu)把交流電(dian)(dian)(dian)變換成(cheng)(cheng)直流電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)“整流”電(dian)(dian)(dian)路中。平面型(xing)二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)是(shi)一(yi)(yi)(yi)種特制的(de)(de)硅二(er)(er)(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，它(ta)不(bu)僅能通過(guo)較大(da)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流，而且性(xing)能穩定可靠，多用(yong)(yong)(yong)于(yu)開(kai)(kai)關、脈沖及(ji)高(gao)頻電(dian)(dian)(dian)路中。
一、根據構造分類
半導體二(er)(er)極管(guan)主(zhu)要是(shi)依靠PN結(jie)而(er)工作的(de)(de)。與PN結(jie)不可分割的(de)(de)點接觸型和(he)肖特基型，也被列入一般的(de)(de)二(er)(er)極管(guan)的(de)(de)范圍(wei)內。包括(kuo)這兩種型號在內，根(gen)據PN結(jie)構造面的(de)(de)特點，把(ba)晶體二(er)(er)極管(guan)分類如下：
1、點接觸型二極管
點接觸型二極管是(shi)在鍺或(huo)硅材料的(de)(de)單(dan)晶片上(shang)壓(ya)觸一根(gen)金屬針后，再通過電流(liu)法而(er)形成的(de)(de)。因(yin)此，其(qi)PN結的(de)(de)靜(jing)電容量(liang)小，適用于高(gao)頻電路。但是(shi)，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性(xing)和(he)反向特性(xing)都差，因(yin)此，不能使用于大電流(liu)和(he)整(zheng)(zheng)流(liu)。因(yin)為(wei)構造(zao)簡單(dan)，所以(yi)價格便宜。對于小信號(hao)的(de)(de)檢波(bo)、整(zheng)(zheng)流(liu)、調制、混頻和(he)限幅等一般(ban)用途而(er)言(yan)，它(ta)是(shi)應用范圍較廣(guang)的(de)(de)類(lei)型。
2、鍵型二極管
鍵型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管是在鍺或硅的單晶片上熔(rong)接(jie)或銀的細絲而形(xing)成的。其特性介于(yu)點接(jie)觸(chu)型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管和(he)合金型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管之間。與點接(jie)觸(chu)型(xing)(xing)(xing)相比較(jiao)，雖然鍵型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管的PN結電容量(liang)稍(shao)有(you)增加，但正(zheng)向(xiang)特性特別優良。多作開關用，有(you)時也被(bei)應用于(yu)檢波(bo)和(he)電源(yuan)整流（不大于(yu)50mA）。在鍵型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管中，熔(rong)接(jie)金絲的二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管有(you)時被(bei)稱(cheng)金鍵型(xing)(xing)(xing)，熔(rong)接(jie)銀絲的二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)管有(you)時被(bei)稱(cheng)為銀鍵型(xing)(xing)(xing)。
3、合金型二極管
在N型鍺(zang)或硅的(de)單(dan)晶片(pian)上，通過合金(jin)銦(yin)、鋁等金(jin)屬的(de)方法制(zhi)作PN結而形(xing)成(cheng)的(de)。正向電壓降小，適于(yu)大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于(yu)高頻檢(jian)波和高頻整流。
4、擴散型二極管
在高溫的P型(xing)(xing)雜質(zhi)氣體中，加熱N型(xing)(xing)鍺(zang)或硅的單(dan)晶片，使(shi)單(dan)晶片表面(mian)的一部變成P型(xing)(xing)，以此法PN結。因(yin)PN結正向電(dian)壓降小，適用于大電(dian)流(liu)整流(liu)。最近，使(shi)用大電(dian)流(liu)整流(liu)器的主(zhu)流(liu)已由(you)硅合金(jin)型(xing)(xing)轉(zhuan)移到硅擴(kuo)散型(xing)(xing)。
5、臺面型二極管
PN結(jie)的(de)(de)(de)制作(zuo)方法雖然與擴散型(xing)(xing)相同(tong)，但是，只保(bao)留PN結(jie)及其必要的(de)(de)(de)部分(fen)，把不必要的(de)(de)(de)部分(fen)用(yong)(yong)藥(yao)品腐蝕掉。其剩(sheng)余的(de)(de)(de)部分(fen)便呈現出臺(tai)面(mian)(mian)形，因而得(de)名。初期生產(chan)的(de)(de)(de)臺(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)，是對半導體材料使用(yong)(yong)擴散法而制成的(de)(de)(de)。因此(ci)，又(you)把這種臺(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)稱為擴散臺(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)。對于這一類型(xing)(xing)來(lai)說，似乎大電(dian)流(liu)整流(liu)用(yong)(yong)的(de)(de)(de)產(chan)品型(xing)(xing)號(hao)很少，而小(xiao)電(dian)流(liu)開關用(yong)(yong)的(de)(de)(de)產(chan)品型(xing)(xing)號(hao)卻(que)很多。
6、平面型二極管
在(zai)半(ban)(ban)導(dao)體單晶片（主(zhu)要(yao)地(di)是(shi)N型(xing)硅單晶片）上，擴散P型(xing)雜質，利用(yong)(yong)硅片表面(mian)(mian)(mian)(mian)氧(yang)化膜(mo)的(de)(de)屏(ping)蔽作用(yong)(yong)，在(zai)N型(xing)硅單晶片上僅選擇性地(di)擴散一部分而(er)(er)形(xing)成的(de)(de)PN結(jie)。因(yin)此，不需要(yao)為調整(zheng)PN結(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)積的(de)(de)藥品腐蝕作用(yong)(yong)。由于(yu)(yu)半(ban)(ban)導(dao)體表面(mian)(mian)(mian)(mian)被(bei)制(zhi)作得平(ping)(ping)整(zheng)，故(gu)而(er)(er)得名。并且，PN結(jie)合的(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)(mian)，因(yin)被(bei)氧(yang)化膜(mo)覆蓋(gai)，所(suo)以公認為是(shi)穩定(ding)性好和壽命長的(de)(de)類型(xing)。最初，對于(yu)(yu)被(bei)使(shi)用(yong)(yong)的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)體材料是(shi)采用(yong)(yong)外延(yan)法形(xing)成的(de)(de)，故(gu)又把平(ping)(ping)面(mian)(mian)(mian)(mian)型(xing)稱為外延(yan)平(ping)(ping)面(mian)(mian)(mian)(mian)型(xing)。對平(ping)(ping)面(mian)(mian)(mian)(mian)型(xing)二極(ji)管而(er)(er)言(yan)，似乎(hu)使(shi)用(yong)(yong)于(yu)(yu)大電流(liu)整(zheng)流(liu)用(yong)(yong)的(de)(de)型(xing)號(hao)很(hen)少，而(er)(er)作小電流(liu)開關用(yong)(yong)的(de)(de)型(xing)號(hao)則很(hen)多。
7、合金擴散型二極管
它是(shi)合金型(xing)的(de)一種。合金材料是(shi)容(rong)(rong)易被擴散的(de)材料。把難以制作的(de)材料通過(guo)(guo)巧妙(miao)地摻配雜質(zhi)，就能與合金一起過(guo)(guo)擴散，以便在已經形成(cheng)的(de)PN結(jie)中獲(huo)得雜質(zhi)的(de)恰當的(de)濃度(du)分布。此(ci)法適用于制造高靈(ling)敏度(du)的(de)變容(rong)(rong)二極管。
8、外延型二極管
用(yong)外(wai)延面長的過程制造(zao)(zao)PN結而形成的二極(ji)管(guan)。制造(zao)(zao)時(shi)需要非常高超(chao)的技(ji)術。因能隨(sui)意地控制雜質的不(bu)同濃度的分(fen)布(bu)，故適宜于制造(zao)(zao)高靈敏度的變容(rong)二極(ji)管(guan)。
9、肖特基二極管
基(ji)本(ben)原(yuan)理是：在金屬（例如鉛）和(he)半導體（N型硅片）的(de)接觸面上(shang)，用已形(xing)成的(de)肖特(te)基(ji)來阻擋反向電壓。肖特(te)基(ji)與(yu)PN結的(de)整流(liu)作用原(yuan)理有根本(ben)性的(de)差異。其(qi)耐壓程(cheng)度只有40V左右。其(qi)特(te)長(chang)是：開關速度非常快(kuai)：反向恢(hui)復時間trr特(te)別地短。因(yin)此，能制(zhi)作開關二極和(he)低(di)壓大電流(liu)整流(liu)二極管。
二、根據用途分類
1、檢波用二極管
就原理而(er)言(yan)，從輸入信(xin)號中取出(chu)調(diao)(diao)制信(xin)號是(shi)檢(jian)(jian)波(bo)(bo)，以(yi)整流(liu)(liu)電流(liu)(liu)的大小(xiao)（100mA）作(zuo)為界線(xian)通常把輸出(chu)電流(liu)(liu)小(xiao)于(yu)100mA的叫檢(jian)(jian)波(bo)(bo)。鍺(zang)材料點接觸(chu)型、工作(zuo)頻(pin)率可達400MHz，正向壓降(jiang)小(xiao)，結電容小(xiao)，檢(jian)(jian)波(bo)(bo)效率高，頻(pin)率特性(xing)好，為2AP型。類似點觸(chu)型那(nei)樣(yang)檢(jian)(jian)波(bo)(bo)用(yong)的二(er)極管(guan)，除用(yong)于(yu)檢(jian)(jian)波(bo)(bo)外，還能夠用(yong)于(yu)限幅(fu)、削波(bo)(bo)、調(diao)(diao)制、混頻(pin)、開(kai)關等電路(lu)。也有為調(diao)(diao)頻(pin)檢(jian)(jian)波(bo)(bo)專用(yong)的特性(xing)一致性(xing)好的兩只二(er)極管(guan)組(zu)合件。
2、整流用二極管
就原(yuan)理(li)而言，從輸入交流(liu)中得到輸出的(de)(de)直流(liu)是整(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)。以(yi)整(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)電流(liu)的(de)(de)大小（100mA）作為(wei)界線通常把輸出電流(liu)大于(yu)100mA的(de)(de)叫整(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)。面(mian)結型(xing)，工作頻率小于(yu)KHz，最高(gao)反向電壓從25伏至3000伏分(fen)A～X共22檔(dang)。分(fen)類如下：①硅(gui)半(ban)導體整(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)二極管2CZ型(xing)、②硅(gui)橋(qiao)式整(zheng)(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)器QL型(xing)、③用于(yu)電視機高(gao)壓硅(gui)堆(dui)工作頻率近100KHz的(de)(de)2CLG型(xing)。
3、限幅用二極管
大多數二極(ji)管(guan)(guan)能作為(wei)限幅使用(yong)(yong)(yong)。也(ye)有象保護儀表用(yong)(yong)(yong)和(he)高頻齊納(na)管(guan)(guan)那(nei)樣的專用(yong)(yong)(yong)限幅二極(ji)管(guan)(guan)。為(wei)了使這(zhe)些二極(ji)管(guan)(guan)具(ju)有特(te)別強的限制(zhi)尖(jian)銳(rui)振幅的作用(yong)(yong)(yong)，通常使用(yong)(yong)(yong)硅(gui)材料制(zhi)造的二極(ji)管(guan)(guan)。也(ye)有這(zhe)樣的組件出售：依據限制(zhi)電壓需要，把若干個(ge)必要的整(zheng)流二極(ji)管(guan)(guan)串(chuan)聯起來形成(cheng)一個(ge)整(zheng)體。
4、調制用二極管
通常指的是(shi)環形調制專(zhuan)用(yong)的二(er)極(ji)管。就是(shi)正向特性一(yi)致性好的四個二(er)極(ji)管的組合件。即使其(qi)它(ta)變容(rong)二(er)極(ji)管也有調制用(yong)途(tu)，但它(ta)們通常是(shi)直接作為(wei)調頻用(yong)。
5、混頻用二極管
使用二極管(guan)混頻方式時，在500～10，000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和(he)點接觸型二極管(guan)。
6、放大用二極管
用二(er)(er)極(ji)管放大(da)，大(da)致有(you)依(yi)靠隧(sui)道二(er)(er)極(ji)管和(he)體效應二(er)(er)極(ji)管那樣(yang)的負阻性器件的放大(da)，以及用變容二(er)(er)極(ji)管的參量放大(da)。因(yin)此，放大(da)用二(er)(er)極(ji)管通常是指隧(sui)道二(er)(er)極(ji)管、體效應二(er)(er)極(ji)管和(he)變容二(er)(er)極(ji)管。
7、開關用二極管
有在小電(dian)流(liu)下(xia)（10mA程度(du)）使用(yong)(yong)(yong)的(de)邏輯運算和在數百毫安下(xia)使用(yong)(yong)(yong)的(de)磁(ci)芯激勵(li)用(yong)(yong)(yong)開(kai)(kai)關(guan)二(er)極(ji)管(guan)。小電(dian)流(liu)的(de)開(kai)(kai)關(guan)二(er)極(ji)管(guan)通常(chang)有點(dian)接(jie)觸(chu)型(xing)(xing)和鍵(jian)型(xing)(xing)等二(er)極(ji)管(guan)，也(ye)有在高(gao)溫下(xia)還可(ke)能工作的(de)硅(gui)(gui)擴散型(xing)(xing)、臺面(mian)型(xing)(xing)和平(ping)面(mian)型(xing)(xing)二(er)極(ji)管(guan)。開(kai)(kai)關(guan)二(er)極(ji)管(guan)的(de)特(te)(te)長是開(kai)(kai)關(guan)速(su)度(du)快。而(er)肖(xiao)特(te)(te)基(ji)型(xing)(xing)二(er)極(ji)管(guan)的(de)開(kai)(kai)關(guan)時(shi)間特(te)(te)短，因而(er)是理想的(de)開(kai)(kai)關(guan)二(er)極(ji)管(guan)。2AK型(xing)(xing)點(dian)接(jie)觸(chu)為中速(su)開(kai)(kai)關(guan)電(dian)路(lu)用(yong)(yong)(yong)；2CK型(xing)(xing)平(ping)面(mian)接(jie)觸(chu)為高(gao)速(su)開(kai)(kai)關(guan)電(dian)路(lu)用(yong)(yong)(yong)；用(yong)(yong)(yong)于開(kai)(kai)關(guan)、限幅、鉗位或檢波(bo)等電(dian)路(lu)；肖(xiao)特(te)(te)基(ji)（SBD）硅(gui)(gui)大電(dian)流(liu)開(kai)(kai)關(guan)，正(zheng)向壓降(jiang)小，速(su)度(du)快、效率高(gao)。
8、變容二極管
用(yong)(yong)(yong)于(yu)(yu)自(zi)動(dong)頻(pin)率(lv)控(kong)制（AFC）和(he)調(diao)諧用(yong)(yong)(yong)的(de)小功率(lv)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)稱變(bian)容二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)。日(ri)本(ben)廠商方(fang)面也有其(qi)(qi)它許多叫法。通過(guo)施加反向(xiang)電壓(ya)， 使其(qi)(qi)PN結的(de)靜電容量(liang)發生(sheng)變(bian)化(hua)。因此，被使用(yong)(yong)(yong)于(yu)(yu)自(zi)動(dong)頻(pin)率(lv)控(kong)制、掃描振蕩(dang)、調(diao)頻(pin)和(he)調(diao)諧等(deng)用(yong)(yong)(yong)途(tu)。通常，雖然是(shi)采(cai)用(yong)(yong)(yong)硅的(de)擴散(san)型(xing)(xing)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)，但是(shi)也可采(cai)用(yong)(yong)(yong)合金擴散(san)型(xing)(xing)、外延結合型(xing)(xing)、雙重擴散(san)型(xing)(xing)等(deng)特(te)殊制作(zuo)的(de)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)，因為這些二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)對(dui)于(yu)(yu)電壓(ya)而言(yan)，其(qi)(qi)靜電容量(liang)的(de)變(bian)化(hua)率(lv)特(te)別大。結電容隨反向(xiang)電壓(ya)VR變(bian)化(hua)，取代可變(bian)電容，用(yong)(yong)(yong)作(zuo)調(diao)諧回路(lu)(lu)、振蕩(dang)電路(lu)(lu)、鎖(suo)相環路(lu)(lu)，常用(yong)(yong)(yong)于(yu)(yu)電視機(ji)高(gao)頻(pin)頭(tou)的(de)頻(pin)道轉換(huan)和(he)調(diao)諧電路(lu)(lu)，多以硅材(cai)料制作(zuo)。
9、頻率倍增用二極管
對二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)的(de)頻率倍(bei)增作(zuo)(zuo)用而言，有依靠變(bian)(bian)容(rong)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)的(de)頻率倍(bei)增和(he)依靠階(jie)(jie)躍(yue)（即急(ji)變(bian)(bian)）二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)的(de)頻率倍(bei)增。頻率倍(bei)增用的(de)變(bian)(bian)容(rong)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)稱(cheng)為可變(bian)(bian)電(dian)抗器，可變(bian)(bian)電(dian)抗器雖然和(he)自動頻率控(kong)制用的(de)變(bian)(bian)容(rong)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)的(de)工作(zuo)(zuo)原理相同，但(dan)電(dian)抗器的(de)構(gou)造卻能承受大功率。階(jie)(jie)躍(yue)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)又被稱(cheng)為階(jie)(jie)躍(yue)恢復二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)，從導通切換到關閉時(shi)的(de)反(fan)向恢復時(shi)間(jian)trr短，因(yin)此，其特長是急(ji)速地(di)(di)變(bian)(bian)成關閉的(de)轉移時(shi)間(jian)顯著地(di)(di)短。如果對階(jie)(jie)躍(yue)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)施加(jia)正弦波，那么，因(yin)tt（轉移時(shi)間(jian)）短，所以(yi)輸出(chu)波形急(ji)驟地(di)(di)被夾斷，故能產生很多(duo)高頻諧波。
10、穩壓二極管
是代替(ti)穩壓電子二極(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)產(chan)品(pin)。被(bei)制(zhi)作(zuo)成為硅(gui)的(de)(de)擴(kuo)散(san)型(xing)或合金(jin)型(xing)。是反向擊(ji)穿特性曲線急驟變(bian)化的(de)(de)二極(ji)(ji)管(guan)(guan)。作(zuo)為控(kong)制(zhi)電壓和標準電壓使(shi)用而制(zhi)作(zuo)的(de)(de)。二極(ji)(ji)管(guan)(guan)工作(zuo)時(shi)的(de)(de)端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等(deng)級(ji)。在(zai)功率方面(mian)，也有從200mW至(zhi)100W以上(shang)的(de)(de)產(chan)品(pin)。工作(zuo)在(zai)反向擊(ji)穿狀態，硅(gui)材料制(zhi)作(zuo)，動態電阻RZ很小，一般為2CW型(xing)；將兩個互補二極(ji)(ji)管(guan)(guan)反向串接以減少溫度系數則(ze)為2DW型(xing)。
11、PIN型二極管（PIN Diode）
這是(shi)在(zai)P區(qu)(qu)和N區(qu)(qu)之間夾一層本(ben)征(zheng)(zheng)半導體(ti)（或(huo)低濃度雜(za)質的(de)半導體(ti)）構(gou)造的(de)晶體(ti)二極管。PIN中(zhong)的(de)I是(shi)“本(ben)征(zheng)(zheng)”意(yi)義(yi)的(de)英文(wen)略語。當其工(gong)作(zuo)頻率超過100MHz時(shi)，由于(yu)(yu)少數載流(liu)子(zi)的(de)存貯效應(ying)和“本(ben)征(zheng)(zheng)”層中(zhong)的(de)渡越時(shi)間效應(ying)，其二極管失去(qu)整流(liu)作(zuo)用而變成(cheng)阻抗元件(jian)，并(bing)且，其阻抗值隨偏置電壓(ya)而改變。在(zai)零偏置或(huo)直流(liu)反向偏置時(shi)，“本(ben)征(zheng)(zheng)”區(qu)(qu)的(de)阻抗很高；在(zai)直流(liu)正向偏置時(shi)，由于(yu)(yu)載流(liu)子(zi)注(zhu)入(ru)“本(ben)征(zheng)(zheng)”區(qu)(qu)，而使(shi)“本(ben)征(zheng)(zheng)”區(qu)(qu)呈現(xian)出(chu)低阻抗狀態(tai)。因此，可(ke)以(yi)把PIN二極管作(zuo)為可(ke)變阻抗元件(jian)使(shi)用。它常(chang)被應(ying)用于(yu)(yu)高頻開關（即微波(bo)開關）、移相、調制、限幅等電路中(zhong)。
12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）
它(ta)是在外加電(dian)(dian)壓作用(yong)下(xia)可以(yi)產生高(gao)(gao)頻振(zhen)(zhen)(zhen)蕩的(de)晶體(ti)管。產生高(gao)(gao)頻振(zhen)(zhen)(zhen)蕩的(de)工作原理是欒的(de)：利用(yong)雪(xue)崩(beng)擊穿(chuan)對晶體(ti)注入載流(liu)子(zi)，因載流(liu)子(zi)渡越晶片需(xu)要一定的(de)時(shi)間(jian)，所以(yi)其電(dian)(dian)流(liu)滯后于電(dian)(dian)壓，出現(xian)延遲時(shi)間(jian)，若(ruo)適(shi)當地控制渡越時(shi)間(jian)，那(nei)么，在電(dian)(dian)流(liu)和電(dian)(dian)壓關系(xi)上就會出現(xian)負阻(zu)效應(ying)，從(cong)而產生高(gao)(gao)頻振(zhen)(zhen)(zhen)蕩。它(ta)常被應(ying)用(yong)于微波領域(yu)的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩電(dian)(dian)路中。
13、江崎二極管 （Tunnel Diode）
它是以(yi)隧道(dao)效應電流為(wei)主(zhu)(zhu)要電流分量的(de)(de)晶體(ti)二極(ji)管。其(qi)(qi)基底材料是砷化鎵和鍺。其(qi)(qi)P型區(qu)的(de)(de)N型區(qu)是高摻(chan)雜的(de)(de)（即高濃度(du)(du)雜質的(de)(de)）。隧道(dao)電流由這(zhe)些簡并態半(ban)導體(ti)的(de)(de)量子力學效應所產生(sheng)。發生(sheng)隧道(dao)效應具備如下三個條(tiao)件：①費(fei)米(mi)(mi)能級位(wei)于(yu)導帶和滿帶內(nei)；②空間電荷層寬度(du)(du)必須(xu)很(hen)窄（0.01微米(mi)(mi)以(yi)下）；簡并半(ban)導體(ti)P型區(qu)和N型區(qu)中(zhong)的(de)(de)空穴(xue)和電子在同一能級上有(you)交疊的(de)(de)可(ke)能性。江崎(qi)二極(ji)管為(wei)雙端子有(you)源(yuan)器(qi)件。其(qi)(qi)主(zhu)(zhu)要參數(shu)有(you)峰谷電流比(bi)（IP／PV），其(qi)(qi)中(zhong)，下標(biao)“P”代表“峰”；而下標(biao)“V”代表“谷”。江崎(qi)二極(ji)管可(ke)以(yi)被(bei)應用于(yu)低噪(zao)聲高頻(pin)放大器(qi)及高頻(pin)振蕩器(qi)中(zhong)（其(qi)(qi)工作頻(pin)率可(ke)達毫米(mi)(mi)波段），也可(ke)以(yi)被(bei)應用于(yu)高速開(kai)關電路中(zhong)。
14、快速關斷（階躍恢復）二極管 （Step Recovary Diode）
它也是一種具有(you)(you)PN結(jie)(jie)的(de)(de)二極管。其(qi)(qi)結(jie)(jie)構上(shang)的(de)(de)特點(dian)是：在(zai)(zai)PN結(jie)(jie)邊界(jie)處具有(you)(you)陡峭的(de)(de)雜質分(fen)布(bu)區(qu)，從而(er)形(xing)成“自助電(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)(chang)”。由于PN結(jie)(jie)在(zai)(zai)正向(xiang)偏壓下，以少數載流子導電(dian)(dian)(dian)(dian)，并(bing)在(zai)(zai)PN結(jie)(jie)附近具有(you)(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷存貯(zhu)效應，使其(qi)(qi)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)流需(xu)要經歷一個“存貯(zhu)時間”后(hou)才(cai)能降(jiang)至最小值（反(fan)向(xiang)飽(bao)和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)流值）。階躍恢(hui)復(fu)二極管的(de)(de)“自助電(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)(chang)”縮(suo)短了存貯(zhu)時間，使反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)流快(kuai)速(su)截(jie)止，并(bing)產生(sheng)豐富(fu)的(de)(de)諧(xie)波分(fen)量(liang)。利用這些諧(xie)波分(fen)量(liang)可設(she)計出梳狀頻譜(pu)發生(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路。快(kuai)速(su)關斷（階躍恢(hui)復(fu)）二極管用于脈沖和(he)高次諧(xie)波電(dian)(dian)(dian)(dian)路中。
15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）
它(ta)是(shi)具有(you)肖特(te)基特(te)性的(de)(de)“金(jin)(jin)屬(shu)半導(dao)體(ti)(ti)結”的(de)(de)二極(ji)管(guan)。其(qi)(qi)正向(xiang)起始電壓較低。其(qi)(qi)金(jin)(jin)屬(shu)層除(chu)材料外，還(huan)可以采(cai)用金(jin)(jin)、鉬(mu)、鎳、鈦等材料。其(qi)(qi)半導(dao)體(ti)(ti)材料采(cai)用硅或砷(shen)化鎵(jia)，多(duo)為N型半導(dao)體(ti)(ti)。這(zhe)種器件(jian)是(shi)由多(duo)數(shu)(shu)載流子(zi)(zi)導(dao)電的(de)(de)，所以，其(qi)(qi)反向(xiang)飽和電流較以少數(shu)(shu)載流子(zi)(zi)導(dao)電的(de)(de)PN結大得多(duo)。由于肖特(te)基二極(ji)管(guan)中(zhong)少數(shu)(shu)載流子(zi)(zi)的(de)(de)存貯(zhu)效應(ying)甚微，所以其(qi)(qi)頻率(lv)響僅為RC時間常數(shu)(shu)限制(zhi)，因而(er)，它(ta)是(shi)高(gao)頻和快速開關的(de)(de)理想(xiang)器件(jian)。其(qi)(qi)工作(zuo)(zuo)頻率(lv)可達100GHz。并且，MIS（金(jin)(jin)屬(shu)－絕緣體(ti)(ti)－半導(dao)體(ti)(ti)）肖特(te)基二極(ji)管(guan)可以用來制(zhi)作(zuo)(zuo)太陽能電池或發光二極(ji)管(guan)。
16、阻尼二極管
具有較高的反向(xiang)工(gong)作電(dian)(dian)壓和(he)(he)峰值電(dian)(dian)流，正向(xiang)壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電(dian)(dian)視機行掃描電(dian)(dian)路作阻尼和(he)(he)升壓整流用。
17、瞬變電壓抑制二極管
TVP管，對電(dian)路進(jin)行快速過壓保護，分雙極(ji)型和單極(ji)型兩種，按峰值(zhi)功率（500W－5000W）和電(dian)壓（8.2V～200V）分類。
18、雙基極二極管（單結晶體管）
兩個(ge)基極，一個(ge)發(fa)射極的三端負(fu)阻(zu)器件，用(yong)于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率(lv)易調、溫度穩(wen)定性(xing)好等優點。
19、發光二極管
用(yong)磷(lin)化鎵(jia)、磷(lin)砷化鎵(jia)材料(liao)制成，體積小，正向驅動發(fa)光。工作電壓(ya)低，工作電流小，發(fa)光均勻(yun)、壽命長、可發(fa)紅、黃、綠單色光。
三、根據特性分類
點接(jie)觸型(xing)二(er)極管，按正(zheng)向和反向特性(xing)分(fen)類如下(xia)。
1、一般用點接觸型二極管
這種二極管正(zheng)如標題所說的那樣(yang)，通常被使用于檢波和(he)整流電路(lu)中，是正(zheng)向和(he)反(fan)向特(te)(te)性既不特(te)(te)別好，也不特(te)(te)別壞(huai)的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等(deng)等(deng)屬于這一類。
2、高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電(dian)壓(ya)(ya)和最大直(zhi)流反向電(dian)壓(ya)(ya)很高(gao)的產品。使(shi)用于高(gao)壓(ya)(ya)電(dian)路(lu)的檢波和整流。這種(zhong)型號(hao)的二極(ji)管(guan)一(yi)般(ban)正(zheng)向特性(xing)不(bu)太好或一(yi)般(ban)。在點接觸型鍺二極(ji)管(guan)中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種(zhong)鍺材(cai)料二極(ji)管(guan)，其耐壓(ya)(ya)受(shou)到限制。要求(qiu)更高(gao)時(shi)有硅合金和擴散型。
3、高反向電阻點接觸型二極管
正向(xiang)電(dian)(dian)壓特性(xing)和一般(ban)用(yong)二極管相同。雖(sui)然(ran)其(qi)反方向(xiang)耐壓也是(shi)特別地高，但反向(xiang)電(dian)(dian)流小，因(yin)此其(qi)特長是(shi)反向(xiang)電(dian)(dian)阻(zu)高。使用(yong)于(yu)高輸入電(dian)(dian)阻(zu)的(de)電(dian)(dian)路和高阻(zu)負荷電(dian)(dian)阻(zu)的(de)電(dian)(dian)路中，就鍺材料高反向(xiang)電(dian)(dian)阻(zu)型二極管而(er)言，SD54、1N54A等等屬于(yu)這(zhe)類二極管。
4、高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型(xing)相反。其反向特(te)性盡管(guan)(guan)很差，但使正向電阻變(bian)得足(zu)夠小。對高傳導點接(jie)觸型(xing)二(er)(er)極管(guan)(guan)而言(yan)，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型(xing)二(er)(er)極管(guan)(guan)而言(yan)，能(neng)夠得到更(geng)優良的(de)特(te)性。這類二(er)(er)極管(guan)(guan)，在(zai)負(fu)荷電阻特(te)別(bie)低的(de)情況(kuang)下(xia)，整流效率較高。
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