一、半導體激光器

半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)是以(yi)(yi)直接(jie)帶(dai)(dai)隙(xi)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)料構成的(de)(de) Pn 結或 Pin 結為(wei)(wei)工(gong)作物質的(de)(de)一(yi)種小型化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)。半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)工(gong)作物質有(you)(you)幾十種，目前已(yi)制成激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)料有(you)(you)砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎵、砷(shen)(shen)(shen)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)銦(yin)、銻化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)銦(yin)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎘、碲(di)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎘、硒化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉛(qian)、碲(di)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉛(qian)、鋁鎵砷(shen)(shen)(shen)、銦(yin)磷(lin)砷(shen)(shen)(shen)等。半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)勵(li)(li)(li)方(fang)式(shi)(shi)(shi)主要有(you)(you)三(san)種，即(ji)電(dian)(dian)注(zhu)(zhu)入式(shi)(shi)(shi) 、光(guang)(guang)泵式(shi)(shi)(shi)和高能電(dian)(dian)子束激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)勵(li)(li)(li)式(shi)(shi)(shi)。絕大(da)多(duo)數半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)勵(li)(li)(li)方(fang)式(shi)(shi)(shi)是電(dian)(dian)注(zhu)(zhu)入，即(ji)給 Pn 結加正(zheng)向電(dian)(dian)壓，以(yi)(yi)使(shi)在(zai)結平面(mian)區域產(chan)生受激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)發(fa)射(she) ，也(ye)就是說是個正(zheng)向偏置的(de)(de)二極(ji)管 。因此半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)又稱為(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)二極(ji)管。對(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)來說，由于(yu)電(dian)(dian)子是在(zai)各能帶(dai)(dai)之間(jian)進行(xing)躍遷 ，而不(bu)是在(zai)分(fen)立(li)的(de)(de)能級之間(jian)躍遷，所(suo)以(yi)(yi)躍遷能量不(bu)是個確定(ding)值(zhi)， 這(zhe)使(shi)得(de)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)輸出(chu)(chu)波(bo)長(chang)(chang)展布在(zai)一(yi)個很寬的(de)(de)范圍(wei)上。它(ta)們所(suo)發(fa)出(chu)(chu)的(de)(de)波(bo)長(chang)(chang)在(zai)0.3～34μm之間(jian)。其波(bo)長(chang)(chang)范圍(wei)決定(ding)于(yu)所(suo)用材(cai)料的(de)(de)能帶(dai)(dai)間(jian)隙(xi) ，常見的(de)(de)是AlGaAs雙(shuang)異質結激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)，其輸出(chu)(chu)波(bo)長(chang)(chang)為(wei)(wei)750～890nm。

半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激(ji)(ji)光(guang)器制作技(ji)(ji)術經歷了由擴(kuo)散法(fa)到液相外延(yan)(yan)法(fa)(LPE)， 氣相外延(yan)(yan)法(fa)(VPE)，分子束外延(yan)(yan)法(fa)(MBE)，MOCVD 方法(fa)(金屬有機(ji)化合物汽相淀積)，化學(xue)束外延(yan)(yan)(CBE)以(yi)(yi)及(ji)它(ta)們(men)的各(ge)種結合型等多種工藝。半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激(ji)(ji)光(guang)器較(jiao)(jiao)大(da)的缺點是:激(ji)(ji)光(guang)性能(neng)受溫度(du)影響大(da)，光(guang)束的發(fa)散角較(jiao)(jiao)大(da)(一般在(zai)幾度(du)到20度(du)之間)，所(suo)以(yi)(yi)在(zai)方向性、單色(se)性和相干性等方面(mian)較(jiao)(jiao)差。但隨著(zhu)科學(xue)技(ji)(ji)術的迅速(su)發(fa)展， 半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激(ji)(ji)光(guang)器的研究正(zheng)向縱深(shen)方向推(tui)進(jin) ，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激(ji)(ji)光(guang)器的性能(neng)在(zai)不(bu)斷地提高(gao)。以(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激(ji)(ji)光(guang)器為核心(xin)的半(ban)導(dao)體(ti)(ti)光(guang)電子技(ji)(ji)術在(zai) 21 世(shi)紀(ji)的信息(xi)社(she)會中(zhong)將取(qu)得更(geng)大(da)的進(jin)展，發(fa)揮更(geng)大(da)的作用。

二、半導體激光器的工作原理

半導體激(ji)光器(qi)是一(yi)種相干輻射光源(yuan)，要使它(ta)能產生激(ji)光，必須具備三個基本條件 :

1.增益條件:建(jian)立起激射媒質(有源區)內載流子(zi)的(de)(de)反轉(zhuan)(zhuan)分布(bu)，在半導體中(zhong)代表電(dian)子(zi)能(neng)(neng)量(liang)的(de)(de)是由(you)一系(xi)列接近(jin)于(yu)連續的(de)(de)能(neng)(neng)級所組成的(de)(de)能(neng)(neng)帶(dai)(dai) ，因此在半導體中(zhong)要(yao)實現粒子(zi)數反轉(zhuan)(zhuan)，必(bi)須(xu)在兩(liang)個能(neng)(neng)帶(dai)(dai)區域之間 ，處(chu)(chu)在高能(neng)(neng)態導帶(dai)(dai)底的(de)(de)電(dian)子(zi)數比(bi)處(chu)(chu)在低能(neng)(neng)態價帶(dai)(dai)頂的(de)(de)空(kong)穴數大很多，這靠給同質結或異質結加正向偏壓(ya)，向有源層內注入(ru)必(bi)要(yao)的(de)(de)載流子(zi)來實現， 將電(dian)子(zi)從能(neng)(neng)量(liang)較(jiao)低的(de)(de)價帶(dai)(dai)激發(fa)到能(neng)(neng)量(liang)較(jiao)高的(de)(de)導帶(dai)(dai)中(zhong)去 。當處(chu)(chu)于(yu)粒子(zi)數反轉(zhuan)(zhuan)狀態的(de)(de)大量(liang)電(dian)子(zi)與空(kong)穴復合時 ，便產(chan)生受(shou)激發(fa)射作(zuo)用。

2.要實際獲得相(xiang)干(gan)受激(ji)(ji)輻(fu)(fu)射(she) ，必須使受激(ji)(ji)輻(fu)(fu)射(she)在(zai)光(guang)(guang)學(xue)諧振腔(qiang)(qiang)內得到多次反(fan)饋而(er)形成(cheng)激(ji)(ji)光(guang)(guang)振蕩，激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)(de)諧振腔(qiang)(qiang)是由半導體(ti)晶體(ti)的(de)(de)(de)自(zi)然解理面(mian)作為反(fan)射(she)鏡形成(cheng)的(de)(de)(de)，通常在(zai)不出光(guang)(guang)的(de)(de)(de)那一端鍍上(shang)高(gao)反(fan)多層介質膜(mo)，而(er)出光(guang)(guang)面(mian)鍍上(shang)減(jian)反(fan)膜(mo)。對(dui)F—p 腔(qiang)(qiang)(法布里—珀(po)羅腔(qiang)(qiang))半導體(ti)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)可以很方便地(di)利用晶體(ti)的(de)(de)(de)與(yu) p-n結(jie)平面(mian)相(xiang)垂直(zhi)的(de)(de)(de)自(zi)然解理面(mian)構成(cheng)F-p腔(qiang)(qiang)。

3.為(wei)了形(xing)成穩定振蕩，激(ji)光(guang)(guang)媒質必(bi)(bi)須(xu)能提(ti)供足夠大的(de)(de)(de)增益，以彌(mi)補諧(xie)振腔(qiang)引起的(de)(de)(de)光(guang)(guang)損(sun)耗(hao)及(ji)從(cong)腔(qiang)面的(de)(de)(de)激(ji)光(guang)(guang)輸出等引起的(de)(de)(de)損(sun)耗(hao)，不斷增加腔(qiang)內(nei)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)場。這就(jiu)必(bi)(bi)須(xu)要(yao)有(you)(you)足夠強的(de)(de)(de)電流注入(ru)，即(ji)有(you)(you)足夠的(de)(de)(de)粒子(zi)(zi)數反(fan)(fan)轉，粒子(zi)(zi)數反(fan)(fan)轉程度越高，得到的(de)(de)(de)增益就(jiu)越大，即(ji)要(yao)求必(bi)(bi)須(xu)滿足一(yi)定的(de)(de)(de)電流閥值條件。當激(ji)光(guang)(guang)器達到閥值時，具有(you)(you)特定波長的(de)(de)(de)光(guang)(guang)就(jiu)能在(zai)腔(qiang)內(nei)諧(xie)振并被放大，最后形(xing)成激(ji)光(guang)(guang)而(er)連(lian)續地輸出。可(ke)見在(zai)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)激(ji)光(guang)(guang)器中，電子(zi)(zi)和空(kong)穴的(de)(de)(de)偶極子(zi)(zi)躍遷是(shi)基本的(de)(de)(de)光(guang)(guang)發射和光(guang)(guang)放大過程。對于(yu)新(xin)型半(ban)(ban)導體(ti)(ti)激(ji)光(guang)(guang)器而(er)言，人(ren)們(men)目前公認量(liang)子(zi)(zi)阱是(shi)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)激(ji)光(guang)(guang)器發展的(de)(de)(de)根本動力。量(liang)子(zi)(zi)線和量(liang)子(zi)(zi)點(dian)能否充分利用量(liang)子(zi)(zi)效應的(de)(de)(de)課題(ti)已(yi)延至本世紀，科學(xue)家們(men)已(yi)嘗試用自組織結(jie)構在(zai)各種材料(liao)中制作(zuo)量(liang)子(zi)(zi)點(dian)，而(er)GaInN 量(liang)子(zi)(zi)點(dian)已(yi)用于(yu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)激(ji)光(guang)(guang)器。

三、半導體激光器的發展歷史

20 世紀(ji)60年(nian)代初期的(de)(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)是(shi)同(tong)(tong)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)型激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)，它是(shi)在(zai)一(yi)種材料上制(zhi)作的(de)(de)(de)(de) pn 結(jie)(jie)(jie)二極管(guan)。在(zai)正向大電流(liu)注入(ru)下電子不(bu)斷地(di)向 p區(qu)注入(ru)，空(kong)穴不(bu)斷地(di)向n區(qu)注入(ru)。于是(shi) ，在(zai)原來的(de)(de)(de)(de)pn結(jie)(jie)(jie)耗(hao)盡區(qu)內(nei)(nei)實現了載流(liu)子分布的(de)(de)(de)(de)反轉， 由于電子的(de)(de)(de)(de)遷(qian)移速度比(bi)空(kong)穴的(de)(de)(de)(de)遷(qian)移速度快， 在(zai)有(you)源區(qu)發(fa)生(sheng)輻(fu)射(she)、復合，發(fa)射(she)出熒光(guang)(guang)，在(zai)一(yi)定的(de)(de)(de)(de)條件下發(fa)生(sheng)激(ji)(ji)光(guang)(guang) ，這是(shi)一(yi)種只能以(yi)脈(mo)沖形式工作的(de)(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)。半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)發(fa)展的(de)(de)(de)(de)第(di)二階段是(shi)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)構半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)， 它是(shi)由兩種不(bu)同(tong)(tong)帶隙(xi)的(de)(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)材料薄層 ，如GaAs， GaAlAs 所組成(cheng)， 先(xian)出現的(de)(de)(de)(de)是(shi)單(dan)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)構激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(1969 年(nian))。單(dan)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)注入(ru)型激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(SHLD)GaAsP -N 結(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de) p 區(qu)之內(nei)(nei) ，以(yi)此來降(jiang)低閥(fa)值電流(liu)密(mi)度， 其數(shu)值比(bi)同(tong)(tong)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)降(jiang)低了一(yi)個數(shu)量(liang)級， 但單(dan)異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(jie)(jie)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)仍不(bu)能在(zai)室溫下連續工作 。

從(cong)20世紀70年代(dai)末(mo)開始，半導體激(ji)(ji)光器(qi)明顯向(xiang)著兩(liang)個方向(xiang)發展 ， 一類(lei)是以(yi)傳遞信息為目(mu)的(de)(de)的(de)(de)信息型激(ji)(ji)光器(qi)，另一類(lei)是以(yi)提高光功(gong)率為目(mu)的(de)(de)的(de)(de)功(gong)率型激(ji)(ji)光器(qi) 。在(zai)(zai)泵浦固體激(ji)(ji)光器(qi)等應(ying)用(yong)的(de)(de)推動(dong)下，高功(gong)率半導體激(ji)(ji)光器(qi)(連續(xu)輸出(chu)功(gong)率在(zai)(zai)100mw以(yi)上，脈沖輸出(chu)功(gong)率在(zai)(zai) 5W 以(yi)上，均可(ke)稱之謂高功(gong)率半導體激(ji)(ji)光器(qi))。

在 20 世(shi)紀90年(nian)代(dai)取(qu)得了(le)突(tu)破性進展(zhan)，其標志是半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)的(de)輸出功率顯著(zhu)增加，國外(wai)千(qian)瓦級的(de)高功率半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)已(yi)(yi)經(jing)商品化(hua)(hua)，國內樣品器(qi)(qi)(qi)件(jian)輸出已(yi)(yi)達到 600W。如果從激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)波段(duan)的(de)被擴展(zhan)的(de)角(jiao)度來看，先是紅外(wai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)，接著(zhu)是 670nm 紅光(guang)(guang)(guang)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)大量進入應用，接著(zhu)，波長為650nm、635nm的(de)問(wen)世(shi) ，藍(lan)綠光(guang)(guang)(guang)、藍(lan)光(guang)(guang)(guang)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)也(ye)相繼(ji)研(yan)制(zhi)(zhi)成功，10mW 量級的(de)紫光(guang)(guang)(guang)乃至紫外(wai)光(guang)(guang)(guang)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)，也(ye)在加緊研(yan)制(zhi)(zhi)中(zhong)(zhong)。20世(shi)紀90年(nian)代(dai)末，面(mian)發(fa)射激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)和垂直(zhi)腔(qiang)(qiang)面(mian)發(fa)射激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)得到了(le)迅速(su)的(de)發(fa)展(zhan)，且已(yi)(yi)考慮了(le)在超并行(xing)光(guang)(guang)(guang)電子學中(zhong)(zhong)的(de)多(duo)種應用。980nm、850nm和780nm的(de)器(qi)(qi)(qi)件(jian)在光(guang)(guang)(guang)學系(xi)統中(zhong)(zhong)已(yi)(yi)經(jing)實用化(hua)(hua)。目(mu)前(qian)，垂直(zhi)腔(qiang)(qiang)面(mian)發(fa)射激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)已(yi)(yi)用于千(qian)兆位以太網的(de)高速(su)網絡。

四、半導體激光器的應用

半導(dao)體(ti)激光器是(shi)成熟較(jiao)早、進展較(jiao)快(kuai)的一(yi)類激光器 ，由(you)(you)于它的波長范圍(wei)寬， 制作簡單(dan)、成本(ben)低、易(yi)于大量(liang)生產(chan)，并且由(you)(you)于體(ti)積小 、重量(liang)輕、壽命長，因此，品種(zhong)發(fa)展快(kuai)，應用范圍(wei)廣，目前已超過(guo)300種(zhong) 。

1.在產業和技術方面的應用

1）光纖(xian)通(tong)信。半導體激光器是光纖(xian)通(tong)信系統的(de)實用化光源，光纖(xian)通(tong)信已成為當代通(tong)信技術的(de)主流。

2) 光(guang)盤存(cun)取。半導體激光(guang)已(yi)經用于光(guang)盤存(cun)儲(chu)器，其較大(da)優點(dian)是存(cun)儲(chu)的(de)聲(sheng)音、文字和圖(tu)象信息量很大(da)。采用藍、綠激光(guang)能(neng)夠大(da)大(da)提(ti)高光(guang)盤的(de)存(cun)儲(chu)密。

3) 光(guang)譜(pu)分(fen)析。遠(yuan)紅外可調(diao)諧(xie)半導體(ti)激光(guang)器已經(jing)用(yong)于環境氣(qi)體(ti)分(fen)析，監測(ce)大氣(qi)污(wu)染、汽車尾氣(qi)等。在工(gong)業上可用(yong)來 監測(ce)氣(qi)相淀(dian)積的工(gong)藝過程(cheng)。

4) 光(guang)(guang)信息(xi)處理(li)。半導體激光(guang)(guang)器已經用(yong)于(yu)光(guang)(guang)信息(xi)理(li)系(xi)統(tong)。表面(mian)發射半導體激光(guang)(guang)器 二(er) 維陣列是光(guang)(guang)并行處理(li)系(xi)統(tong)的理(li)想(xiang)光(guang)(guang)源，將(jiang)用(yong)于(yu)計(ji)算機和光(guang)(guang)神(shen)經網絡(luo)。

5) 激(ji)光(guang)微(wei)細工。借(jie)助于Q開關半導體(ti)激(ji)光(guang)器產生(sheng)的高(gao)能量超短(duan)光(guang)沖，可(ke)對集(ji)成電路進行切 割、打孔等。

6) 激光報警器。半導(dao)體(ti)激光報警器用途 甚廣，包(bao)括(kuo)防盜(dao)報警、水位報警、車距 報警等。

7) 激(ji)(ji)光(guang)打(da)印(yin)機。高功率(lv)半導體(ti)激(ji)(ji)光(guang)器已經用于激(ji)(ji)光(guang)打(da)印(yin)機。采用藍、綠激(ji)(ji)光(guang) 能 夠大(da)大(da)提高打(da)印(yin)速(su)度和分辨 率(lv)。

8) 激光條碼掃描(miao)器(qi)。半導體激光條碼掃描(miao)器(qi)已經(jing)廣泛用(yong)于商品的(de)銷售，以(yi)及 圖書和檔(dang)案(an)的(de)管理。

9) 泵浦固體(ti)激光器。這是(shi)高(gao)功率(lv)半導體(ti)激光器的一(yi)個重(zhong)要應(ying)用，采用它(ta)來取代原來的氛燈，可以構成(cheng)全固態激光系(xi)統。

10) 高清晰度激(ji)光電視(shi)。不久的(de)將來，沒(mei)有(you)陰極(ji)射線(xian)管的(de)半(ban)導體激(ji)光電視(shi)機可(ke)以 投放市(shi)場，它利用紅、藍(lan)、綠三色激(ji)光，估計其耗電量比現有(you)的(de)電視(shi)機低20%。

2.在醫療和生命科學研究方面的應用

1)激光手(shou)術治療。半導體激光已經(jing)用(yong)于軟組(zu)織切(qie)除，組(zu)織接合(he)、凝固和汽(qi)化。普通(tong)外科(ke)、整形(xing)外科(ke)、皮膚科(ke)、泌尿科(ke)、婦產科(ke)等(deng)，均(jun)廣泛地采用(yong)了這項技術。

2)激光(guang)(guang)(guang)動力學治療。將對腫瘤有(you)(you)親合(he)性(xing)的(de)光(guang)(guang)(guang)敏物質有(you)(you)選擇地聚集于癌(ai)組(zu)(zu)織(zhi)內，通過半導體激光(guang)(guang)(guang)照射，使(shi)癌(ai)組(zu)(zu)織(zhi)產生活性(xing)氧，旨在使(shi)其(qi)壞死而對健康(kang)組(zu)(zu)織(zhi)毫無 損害。

3)生命科學研究。使用半導體激光的“光鑷(nie)”，可以(yi)撲捉活細(xi)胞(bao)(bao)或(huo)染色體并移至 任意位置，已經(jing)用于促進細(xi)胞(bao)(bao)合成，細(xi)胞(bao)(bao)相互作用等研究，還可以(yi)作為法(fa)醫(yi)取證的診斷技術。

（來源：網站，版(ban)權歸原作者）