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關于激光的產生,你了解哪些?
來源: 閱讀:1017 發布時(shi)間:2021-01-13 11:08:59
關于激光的產生,你了解哪些?

?激光產生的物理基礎

1、光發送機與光源

光(guang)發(fa)送(song)機的(de)作(zuo)用(yong):(1)將(jiang)電信號(hao)轉換(huan)成相應的(de)光(guang)信號(hao);(2)將(jiang)光(guang)信號(hao)耦合進光(guang)纖后進行(xing)傳輸。其中(zhong),電信號(hao)由數字復用(yong)設備輸入進來的(de)。

光(guang)(guang)發(fa)送機的核(he)心部件是光(guang)(guang)源(yuan)。目前(qian)光(guang)(guang)纖通信系統一(yi)般采用的光(guang)(guang)源(yuan):半(ban)導體激光(guang)(guang)二(er)極管(LD)和發(fa)光(guang)(guang)二(er)極管(LED)。這類光(guang)(guang)源(yuan)的特點是體積小,與光(guang)(guang)纖之間的耦合效率(lv)高,響應速(su)度快,可以在較高速(su)率(lv)條件下直接強度調制。

2、激光產生基礎


粒(li)子數(shu)正(zheng)常分布:在通(tong)常情況下,處于高(gao)能級的(de)粒(li)子數(shu)總是遠少于處于低(di)能級上的(de)粒(li)子數(shu)。

粒子(zi)(zi)數(shu)反轉分(fen)布:高能(neng)(neng)級(ji)(ji)的電(dian)子(zi)(zi)數(shu)量多(duo)于(yu)低能(neng)(neng)級(ji)(ji)電(dian)子(zi)(zi)數(shu)量的分(fen)布。(可以給予額外的能(neng)(neng)量,把處于(yu)低能(neng)(neng)級(ji)(ji)的電(dian)子(zi)(zi)激發到(dao)高能(neng)(neng)級(ji)(ji)上(shang)去(qu))

3、激光的形成與產生過程

激光(guang)的形成

裝置要求:只需允許有部分的光能夠透射出去就OK了。

激光產生過程

① 能量激勵,讓E2與E1之間形成粒子數反轉分布

當用(yong)能量為(wei)hf31=E3-E1的(de)外界激(ji)勵(li)去激(ji)勵(li)激(ji)光物質時,處于低能級(ji)E1上的(de)電子被激(ji)發(fa)到了(le)高能級(ji)E3上,但很快(kuai)就自(zi)發(fa)躍遷返回到亞穩級(ji)E2上。

這(zhe)樣持續不斷的外部激勵的結果(guo),就使(shi)得大量電子(zi)處(chu)于(yu)E2能(neng)級,這(zhe)樣就在E2與E1之間形成了粒(li)子(zi)數反轉分布(bu),此時受激輻射占主要地位(wei),原子(zi)向外發射能(neng)量為(E2-E1)的光子(zi)。

② E2上的電子發生受激輻射并激發出新光子,受激輻射光子數不斷增加

大量頻率(lv)為(wei)hf21=(E2-E1)/h的(de)(de)受激輻射光子在F-P反(fan)射腔(qiang)內沿(yan)任意方向運(yun)動(dong),與諧(xie)振(zhen)腔(qiang)軸(zhou)線方向運(yun)動(dong)不一致的(de)(de)光子,很快(kuai)通過諧(xie)振(zhen)腔(qiang)的(de)(de)側面射出腔(qiang)外。

只有(you)沿著軸(zhou)線方向運動的光子(zi),可以在諧振腔內繼續(xu)前進。

光(guang)子(zi)運動中(zhong)可能(neng)(neng)繼續(xu)激(ji)勵處于亞(ya)穩(wen)能(neng)(neng)級E2上(shang)的(de)電子(zi),使其發生(sheng)受(shou)激(ji)輻射并激(ji)發出(chu)新(xin)光(guang)子(zi),類似的(de)運動不(bu)斷進(jin)行使得原(yuan)子(zi)產生(sheng)的(de)受(shou)激(ji)輻射光(guang)子(zi)數不(bu)斷增加(jia)。

③ 保持外部激勵,直到受激輻射光子總數遠大于由于各種原因所損失掉的光子數

保(bao)持足夠強度(du)的(de)外部激勵,使(shi)得上述連續(xu)(xu)反應持續(xu)(xu)不斷,將使(shi)原子(zi)激發出大量同向運動的(de)受激輻射光(guang)子(zi),諧振腔(qiang)內(nei)的(de)光(guang)子(zi)流不斷加強。

原子在(zai)諧振腔內產生的(de)(de)受激輻射(she)光(guang)子總(zong)數遠大于由于各(ge)種原因所(suo)損失掉的(de)(de)光(guang)子數時(shi),諧振腔內就可以產生足夠的(de)(de)受激輻射(she)光(guang)及(ji)反(fan)饋放大,形(xing)成穩定的(de)(de)振蕩并最終通過M2反(fan)射(she)鏡射(she)出,形(xing)成強(qiang)度高、方(fang)向性一致的(de)(de)相干(gan)光(guang),也就是激光(guang)。

4、激光產生的三個必要條件

激(ji)光(guang)LASER是受(shou)激(ji)輻(fu)射的光(guang)放大(da)(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)的縮寫(xie)。用來產生激(ji)光(guang)的裝置,就叫做激(ji)光(guang)器。

激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)(qi)包括的基本部分(fen) 工作物(wu)(wu)質 激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)(qi)的組成(cheng)核心(xin),也就是發(fa)光(guang)物(wu)(wu)質 光(guang)學共(gong)振(zhen)腔 形成(cheng)激(ji)(ji)(ji)光(guang)振(zhen)蕩,輸出激(ji)(ji)(ji)光(guang)。 激(ji)(ji)(ji)勵(li)系統 將各(ge)種形式的外界能量轉換成(cheng)激(ji)(ji)(ji)光(guang)光(guang)能,通常是激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)(qi)的電源。  

半導體激光器工作原理


顧名思義,半(ban)導體激(ji)光(guang)器(qi)就是使(shi)用半(ban)導體材(cai)料作為激(ji)光(guang)物質的激(ji)光(guang)器(qi)。

當前(qian)在光纖通信方面產(chan)生(sheng)受激輻(fu)射的半導體(ti)材料用得較多的是砷化鎵(GaAs)。

半(ban)(ban)導體(ti)材(cai)料是一(yi)種單晶體(ti)。晶體(ti)中,原(yuan)子(zi)緊密地(di)按照一(yi)定規則排列(lie)。各原(yuan)子(zi)外層的軌道(dao)互(hu)相重迭,使半(ban)(ban)導體(ti)材(cai)料的能(neng)級已不像(xiang)前述的單個(ge)原(yuan)子(zi)那樣(yang)的分(fen)立的能(neng)級,而變(bian)成了(le)能(neng)帶,如(ru)下(xia)圖(tu)。

半(ban)導(dao)體能帶(dai)圖

半導體激光器的核心(xin)部(bu)分是(shi)一(yi)個PN結。

這個PN結是高度摻(chan)雜的(de),P型半導體(ti)中空穴極多,N型半導體(ti)中自(zi)由電子極多。

半導(dao)體中的(de)載流子是由導(dao)帶電子和(he)價帶空穴(xue)產生的(de)。

半導體PN結

                                     外加正向電壓(ya)時的PN結

只有足夠(gou)大的正向電壓、保證電流足夠(gou)大時,才能產生(sheng)激光。

(來(lai)源:網站(zhan),版權歸原作者)