脈(mo)沖(chong)選(xuan)擇(ze)器是一種電(dian)控光學開(kai)關，用于從快(kuai)速脈(mo)沖(chong)序列(lie)中(zhong)提取單個所(suo)需的多(duo)個脈(mo)沖(chong)。
大多數情況下，超短脈沖是由鎖模激光器產生的，以脈沖列的形式，脈沖重復速率在10MHz-10GHz量級。由于各種原因，通常需要從單個脈沖列中提取特定的脈沖，例如只允許特定脈沖通過而阻止其它的脈沖。這可以采用一個脈沖選擇器來實現，它是一個電子學控制的光學開關。
脈沖選擇器的原理
如(ru)下圖，脈(mo)沖激(ji)光經(jing)過棱(leng)鏡(jing)分為兩束，經(jing)過格蘭棱(leng)鏡(jing)后，以一定的偏(pian)振(zhen)態入射(she)EOM后，由于電(dian)致晶體產生電(dian)光效應(ying)，使出射(she)光發生偏(pian)轉，以合適偏(pian)振(zhen)態透過棱(leng)鏡(jing)；另外一束光在探測器(qi)上產生電(dian)信號(hao)，電(dian)信號(hao)經(jing)過調(diao)制器(qi)驅動處理、放大后，給EOM提(ti)供(gong)驅動提(ti)供(gong)參考信號(hao)，驅動根據參考信號(hao)輸出高壓脈(mo)沖信號(hao)，在調(diao)制器(qi)上產生電(dian)光效應(ying)；
給晶體施加電壓，電場導致晶體中分子發生取向，呈現各向異性，產生雙折射，使尋常光與非尋常光折射率呈現差異，最終表現光束偏轉。折射率變化與電壓呈線性關系的稱為普克爾效應；而常用的非線性晶體KTP被用來做普克爾盒；
目前，普克爾盒常用晶體的半波電壓基本在1000V~1800V之間，但是比較通用的驅動芯片MOSFET耐壓值大多小于1000V，而MOSFET由于自身工藝導致開關頻率又做不快，通常在幾百KHz，而cmos晶體管的工作頻率可以達到幾十MHz，但是常見管子的耐壓值又比較低，只有700V左右；
一款脈沖選擇系統對于晶體來說，需要考慮半波電壓、工作頻率、透過率等，但是目前max局限還是半波電壓稍高，給驅動設計帶來很高的要求。
脈沖選擇器的重要性質
根據不同的應用要求，需要用到脈沖選擇器一些不同的特性：
開關時間（尤其是入射脈沖重復速率高時）
開關的峰值重復速率
透射脈沖的能量損耗
抑制不需要脈沖的程度
光學帶寬（尤其是寬帶脈沖）
色散（尤其是寬帶脈沖，例如，長度小于100fs）
光學非線性（尤其是脈沖峰值功率很高）
開放孔徑的尺寸
外尺寸
對準靈敏度（接受角）
電子學驅動器的能力
脈沖選擇器的類型
大多數情況下，脈沖選擇器是電光調制器或者聲光調制器，與適合的電子學驅動器相結合。如果是電光調制器件，脈沖選擇器包括普克爾斯盒和一些偏振光學器件，例如薄膜偏振片；普克爾斯盒調控偏振態，偏振片則根據脈沖的偏振態可使其通過或阻止。
聲光脈沖選擇器的原理是施加短的射頻脈沖到聲光調制器上，將不需要的脈沖反射到別的方向上。反射的脈沖然后通過孔徑，而其它的脈沖則被阻止。
另一種情況下，調制器的速度都是由脈沖列中脈沖的時間間隔決定的（即，由脈沖源的脈沖重復速率決定），而不是由脈沖長度決定。
脈(mo)沖選擇器(qi)的電(dian)子學驅動器(qi)需(xu)要滿足附加(jia)的條件。例(li)如，它(ta)可(ke)以采(cai)用光(guang)電(dian)二極管中產生的信號，感知原(yuan)始(shi)的脈(mo)沖列，從(cong)而將開關與入射脈(mo)沖合成。觸發信號可(ke)在(zai)任意時間輸入，電(dian)子學裝置會在(zai)適當的時間作用在(zai)開關上使其(qi)后面的入射脈(mo)沖透(tou)過。
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