定義：具有p-i-n型半導體機構的光電二極管。
PIN型光(guang)電(dian)二極(ji)管(guan)是在(zai)(zai)n型摻雜(za)和p型摻雜(za)中間存(cun)在(zai)(zai)本(ben)征(zheng)層（i:即未(wei)摻雜(za)的）的光(guang)電(dian)二極(ji)管(guan)。大多數光(guang)子(zi)是在(zai)(zai)本(ben)征(zheng)層被吸收，然后在(zai)(zai)該處產生(sheng)載流子(zi)形(xing)成光(guang)電(dian)流。在(zai)(zai)圖(tu)1中，電(dian)極(ji)顯示(shi)為黑色：陰(yin)極(ji)是平的電(dian)極(ji)，而陽極(ji)則是環形(xing)（其(qi)中兩個相反(fan)的部分可(ke)以在(zai)(zai)交(jiao)叉區(qu)域看到）。偏置電(dian)壓（反(fan)向）的正極(ji)與陰(yin)極(ji)相連。在(zai)(zai)p型摻雜(za)區(qu)域上方有抗(kang)反(fan)射涂層。
圖(tu)1：p-i-n型(xing)光(guang)電二極管示意圖(tu)。綠色區域為抗(kang)反射涂層
與常規(gui)的p-n型光電二極管相比(bi)，p-i-n型光電二極管具有(you)更厚的耗盡層，能夠更有(you)效的收集載(zai)流子，因(yin)此量(liang)子效率更高，同時電容量(liang)更小，探測帶寬更大。
如果(guo)波長達到(dao)約1700nm（或者光譜(pu)擴展(zhan)到(dao)2600nm），可以使用InGaAs p-i-n型二(er)極管，但是(shi)成本更高（尤其是(shi)有源區較大時）。鍺(zang)p-i-n二(er)極管也(ye)是(shi)一個(ge)選擇。
快的(de)(de)p-i-n光電二極(ji)管(guan)的(de)(de)帶寬(kuan)可達幾十GHz。有源(yuan)區直徑通(tong)常(chang)在幾百(bai)微(wei)米。有些這(zhe)種二極(ji)管(guan)可以制作成 光纖(xian)耦(ou)合(he)的(de)(de)形式應用到光纖(xian)通(tong)信(xin)中作為(wei)接收(shou)器。
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