光(guang)電探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)是將光(guang)輻射轉化為電量的一(yi)種元器(qi)(qi)(qi)件，被(bei)廣泛的應用于各行(xing)業當中。市場(chang)上的光(guang)電探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)種類(lei)繁多，如何才能夠高效、簡易的選(xuan)擇(ze)(ze)一(yi)款(kuan)合適光(guang)電探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)？我們(men)可(ke)以(yi)將市場(chang)上的光(guang)電探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)做個分(fen)類(lei)，一(yi)般可(ke)以(yi)按照(zhao)工作波段以(yi)及探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)工作原理區分(fen)，這樣我們(men)就可(ke)以(yi)按照(zhao)我們(men)的需求去選(xuan)擇(ze)(ze)對應的探(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)了。
我(wo)們如(ru)果按照不同(tong)波段(duan)來區分(fen)(fen)它們，可分(fen)(fen)為紫外光(guang)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、可見光(guang)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)以及紅外光(guang)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)，這些探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)的(de)材(cai)料可分(fen)(fen)為碳化(hua)硅(gui)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、硅(gui)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、鍺探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、銦鎵砷(shen)探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、硒化(hua)鉛探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)、碲鎘汞探(tan)(tan)測(ce)(ce)器(qi)(qi)(qi)等(deng)。
a.碳(tan)化硅探測器（SiC）
光(guang)(guang)譜響應(ying)：0.2-0.4um；可應(ying)用于(yu)火焰(yan)探(tan)測和控制(zhi)、紫外測量、控制(zhi)殺(sha)菌燈光(guang)(guang)和醫(yi)療燈光(guang)(guang)控制(zhi)等領域。
b.硅探測器（Si）
光譜響應：0.3-1.0um；可應用于工業的控制(zhi)系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。
c.鍺探測器（Ge）
光(guang)譜響應：0.8-1.8um；可應用于(yu)光(guang)功率計（OPM）、LED/LD老(lao)化及特性診斷、光(guang)譜學以及眼(yan)睛安全激光(guang)探測傳(chuan)感器等領(ling)域(yu)。
d.銦(yin)鎵砷探測器（InGaAs）
; 光(guang)(guang)譜響應：0.9-2.7um；可應用于(yu)氣體分析、近(jin)紅(hong)外(wai)FTIR 、近(jin)紅(hong)外(wai)熒(ying)光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜、血液分析、光(guang)(guang)通訊以及光(guang)(guang)功(gong)率測量等領域(yu)。
e.硫(liu)化鉛探測器（PbS）光(guang)導(dao)
光(guang)譜響應：1.0-3.0um；可(ke)應用于(yu)氣(qi)體(ti)檢測(ce)、光(guang)學測(ce)溫、光(guang)度計、濕(shi)度分析儀以及醫療氣(qi)體(ti)分析等領域。
f.銻化銦探測(ce)器（InSb）
光譜響應：1-5.5um；可用于熱(re)成(cheng)像、熱(re)追蹤制導、輻射計、光譜以及FTIR等領域。
g.碲鎘汞探測(ce)器(qi)（HgCdTe）
光(guang)(guang)(guang)譜(pu)響應：0.5-5.5um/2-26um；可用于熱成像(xiang)，二氧化碳激光(guang)(guang)(guang)探測，FTIR，導彈制導，光(guang)(guang)(guang)譜(pu)探測等領(ling)域。
如果按照工作原理來分(fen)(fen)可(ke)分(fen)(fen)為光導(dao)型探測(ce)器(qi)和光伏型探測(ce)器(qi)。
光(guang)電(dian)導探測(ce)器(qi)是利(li)用(yong)半導體光(guang)電(dian)效應制成的(de)器(qi)件，簡稱PC探測(ce)器(qi)，常見(jian)的(de)光(guang)電(dian)導探測(ce)器(qi)為光(guang)敏電(dian)阻。通過施加恒定的(de)偏置(zhi)電(dian)壓，將(jiang)電(dian)阻的(de)變化轉(zhuan)化為電(dian)流的(de)變化。這類元器(qi)件具(ju)有近(jin)似線性的(de)伏安特性。
常用(yong)的(de)紫外(wai)光(guang)電導(dao)探(tan)測器(qi)為硫(liu)化鎘(ge)（CdS）和(he)硒化鎘(ge)（CdSe），常用(yong)的(de)可見光(guang)光(guang)電導(dao)探(tan)測器(qi)有硫(liu)化鉈（TiS）、硫(liu)化鎘(ge)（CdS）和(he)硒化鎘(ge)（CdSe），常用(yong)的(de)紅外(wai)光(guang)電導(dao)探(tan)測器(qi)有硫(liu)化鉛（PbS）、碲(di)(di)化鉛（PbTe）、銻化銦（InSb）、碲(di)(di)鎘(ge)汞（Hg1-xCdxTe）等(deng)。
光(guang)伏型探(tan)測器(qi)是利用光(guang)伏效(xiao)應制作(zuo)(zuo)的器(qi)件(jian)，簡稱PV探(tan)測器(qi)，也稱為結(jie)型光(guang)電(dian)器(qi)件(jian)。其工作(zuo)(zuo)原理是PN結(jie)受到(dao)光(guang)照時，在PN結(jie)的兩端產(chan)生(sheng)(sheng)光(guang)生(sheng)(sheng)電(dian)勢差，從而產(chan)生(sheng)(sheng)光(guang)伏效(xiao)應。
常(chang)用(yong)的光(guang)伏探測器有：硅光(guang)電(dian)池(chi)、硅光(guang)電(dian)二極管(guan)、硅光(guang)電(dian)三極管(guan)、PIN光(guang)電(dian)二極管(guan)、雪崩光(guang)電(dian)二極管(guan)、紫外光(guang)電(dian)二極管(guan)、碲鎘汞、碲錫鉛紅外光(guang)電(dian)二極管(guan)等。
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