使用(yong)常規的(de)(de)(de)光刻(ke)技術,在(zai)標準半導體周期中以GaAs高遷移(yi)率(lv)異質結構(gou)制(zhi)造探(tan)測(ce)器(qi)。成(cheng)像傳感器(qi)在(zai)單個晶片上制(zhi)造。該過程確保(bao)了等(deng)離子(zi)體檢(jian)測(ce)器(qi)參數(shu)的(de)(de)(de)高度均勻性和可重復性(像素(su)到像素(su)的(de)(de)(de)偏(pian)差(cha)響應度在(zai)20%的(de)(de)(de)范圍內(nei))。每個檢(jian)測(ce)器(qi)單元(yuan)的(de)(de)(de)室溫(wen)響應率(lv)高達50 kV / W,具有讀(du)出電(dian)路,在(zai)10 GHz到1 THz的(de)(de)(de)頻率(lv)范圍內(nei)的(de)(de)(de)等(deng)效噪(zao)聲功率(lv)為1 nW /√Hz。該檢(jian)測(ce)機(ji)(ji)制(zhi)基于(yu)激發二維電(dian)子(zi)系(xi)統(tong)中等(deng)離子(zi)體振蕩并隨后進行整流(liu)的(de)(de)(de)機(ji)(ji)制(zhi)。整流(liu)發生在(zai)電(dian)子(zi)系(xi)統(tong)中產生的(de)(de)(de)特殊缺陷上。
太(tai)赫茲(zi)(zi)(zi)相(xiang)機(ji)是(shi)主動(dong)檢測設備,需要外部THz源。提供(gong)基于IMPATT技(ji)術的(de)太(tai)赫茲(zi)(zi)(zi)波源。所有(you)(you)的(de)TERA系(xi)列太(tai)赫茲(zi)(zi)(zi)成(cheng)像相(xiang)機(ji)都(dou)使用(yong)具有(you)(you)相(xiang)同(tong)功能(neng)和(he)空間分辨率的(de)相(xiang)同(tong)類型的(de)探(tan)測器。各型號之間的(de)差異(yi)在于其傳(chuan)感器陣列中的(de)像素數量及其有(you)(you)效成(cheng)像區域。除了標準THz相(xiang)機(ji)機(ji)型號外,還提供(gong)定(ding)制的(de)解決方案,以滿足各種(zhong)配置和(he)幾何形(xing)狀要求。
256像素(su)(16 x 16陣列)
1.5毫米像素間距
NEP = 1 nW /√Hz
11.5厘米(mi)x 11.5厘米(mi)x 4.2厘米(mi)設備尺寸(cun)