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使用常(chang)規的(de)光刻(ke)技術(shu)，在標準半導(dao)體(ti)周期中(zhong)(zhong)以GaAs高(gao)遷移(yi)率異質(zhi)結構制(zhi)(zhi)(zhi)造探測(ce)器。成像傳感器在單(dan)個(ge)晶片上制(zhi)(zhi)(zhi)造。該過程確(que)保了等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)檢(jian)測(ce)器參數的(de)高(gao)度均勻性和可重復性（像素到像素的(de)偏差響應度在20％的(de)范圍內）。每個(ge)檢(jian)測(ce)器單(dan)元(yuan)的(de)室溫響應率高(gao)達50 kV / W，具有讀出電(dian)路，在10 GHz到1 THz的(de)頻率范圍內的(de)等(deng)效噪(zao)聲功率為1 nW /√Hz。該檢(jian)測(ce)機制(zhi)(zhi)(zhi)基(ji)于(yu)激發二維電(dian)子(zi)(zi)系統(tong)(tong)中(zhong)(zhong)等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)振蕩并隨后(hou)進行整(zheng)流(liu)的(de)機制(zhi)(zhi)(zhi)。整(zheng)流(liu)發生(sheng)在電(dian)子(zi)(zi)系統(tong)(tong)中(zhong)(zhong)產生(sheng)的(de)特殊缺陷上。
太(tai)赫(he)茲相機(ji)(ji)是主動檢測設備，需要外部THz源(yuan)。提供基于IMPATT技術的(de)(de)太(tai)赫(he)茲波(bo)源(yuan)。所有的(de)(de)TERA系列太(tai)赫(he)茲成像相機(ji)(ji)都使用具有相同功能(neng)和空間分辨率的(de)(de)相同類型的(de)(de)探測器。各(ge)(ge)型號(hao)之間的(de)(de)差異(yi)在于其傳(chuan)感器陣列中的(de)(de)像素數量及其有效(xiao)成像區域。除了標準THz相機(ji)(ji)機(ji)(ji)型號(hao)外，還提供定制的(de)(de)解決方案，以滿足各(ge)(ge)種配置和幾何形狀要求。
256像素（16 x 16陣列）
1.5毫米像素間距
NEP = 1 nW /√Hz
11.5厘米(mi)x 11.5厘米(mi)x 4.2厘米(mi)設備尺寸
