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用(yong)于硅晶片(pian)的(de)全光學非接(jie)觸式(shi)厚度傳感(gan)器
高動態范圍，能夠測量混亂的表(biao)面
能夠在濕(shi)蝕刻過(guo)程中進行原位測(ce)量(liang)
SIT-200使(shi)用高速掃(sao)(sao)頻(pin)可(ke)調激光(guang)器(qi)（而(er)不是寬帶光(guang)源）來探測(ce)(ce)被測(ce)(ce)晶片(pian)。這樣就可(ke)以對每個波(bo)長進行更高功率的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)，從而(er)實現高動態范圍。即使(shi)在(zai)未拋光(guang)的(de)(de)晶片(pian)上，例如在(zai)濕蝕刻(ke)期間(jian)/之(zhi)后，也(ye)可(ke)以進行厚(hou)度(du)測(ce)(ce)量(liang)。硅晶圓厚(hou)度(du)傳感器(qi)由精確(que)調諧的(de)(de)波(bo)長掃(sao)(sao)描激光(guang)源，聚焦(jiao)傳感器(qi)和光(guang)接(jie)收器(qi)（PD）構成。波(bo)長掃(sao)(sao)描光(guang)聚焦(jiao)在(zai)目標上，并且(qie)在(zai)通過傳感器(qi)后，PD會檢測(ce)(ce)到從目標表面反射回來的(de)(de)干涉圖樣。
測量對象：硅片
可(ke)測厚度：10~500（n = 3.5）μm
光(guang)源(yuan)：波長掃(sao)描(miao)激(ji)光(guang)源(yuan)
（1515~1585）nm
光(guang)輸出(chu)功率：0.6，激光(guang)等(deng)級1 mW
引導光源：紅(hong)色(se)LD，激光等級1M
測量時間：min.20 ms
重復性：小于(yu)0.1（3σ）μm
監控輸出：干擾信號（電氣）
PC接口：以太網
電源：AC 100-240（50/60 Hz）V
尺寸（寬(kuan)x高(gao)x深）：364 x 147 x 391 mm
重量：9.0 kg
