ZDW在800 nm-1100 nm(TBD)范(fan)圍內的色散優化
低損耗
長度可達(da)1000 m
純或鍺摻雜的二(er)氧化硅(gui)核
從UV到NIR的空間單模
高度非線性
連接器(qi)(FC,ST,SC)和管道
核芯直徑 |
包層直徑 |
涂層直徑 |
模式場直徑 (在1060 nm下測量) |
4.75 µm |
125 µm |
240 µm |
4.5 µm |
+/- 0.1 µm |
+/- 5 µm |
+/- 10 µm |
+/- 0.1 µm |