產品中心
產品介紹
SemiNex的(de)半導體激(ji)光(guang)(guang)管是為激(ji)光(guang)(guang)開發(fa)(fa)和客(ke)戶應(ying)用尋求(qiu)先進(jin)性能的(de)客(ke)戶的(de)好(hao)選擇。這些激(ji)光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)跨(kua)越(yue)12xx至(zhi)19xx的(de)InP波長(chang)(chang)范圍提(ti)供，并且(qie)具(ju)有各種功(gong)率、腔(qiang)配置和波長(chang)(chang)配置。SemiNex可(ke)以將(jiang)其任何激(ji)光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)安裝(zhuang)(zhuang)在(zai)SemiNex標準封裝(zhuang)(zhuang)中，或者SemiNex將(jiang)與客(ke)戶合作開發(fa)(fa)定制封裝(zhuang)(zhuang)。SemiNex芯(xin)片(pian)的(de)應(ying)用包括激(ji)光(guang)(guang)雷達(da)、軍事瞄準、測距和照明。可(ke)根據要求(qiu)提(ti)供自(zi)定義波長(chang)(chang)和配置。
性能特點
- 高性價比
- 高輸出功率
- 高動態范圍
- 效率高
技術參數
- 產地：美國
- 波長：1320nm（±20）
- 輸出功率（CW）*：0.70瓦（±10%）
- 芯片腔長度：2500μm
- 芯片寬度：500μm
- 發射器寬度：5μm
- 發射器高度：1μm
- 光譜寬度：15nm 3dB
- 斜坡效率：0.45W/A
- 快軸分區：30度FWHM
- 慢軸分區：13deg FWHM
- 功率轉換效率：20%
- 閾值電流：0.05A
- 工作電流：1.6A
- 工作電壓：2.2V
- 重量：0.05g
- 工作溫度：-40至60°C
- 儲存溫度：-40至80°C
產品參數
