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產品介紹
SemiNex的(de)半導(dao)體激(ji)光(guang)(guang)管是為激(ji)光(guang)(guang)開發和客戶(hu)應用(yong)(yong)尋(xun)求先進性能的(de)客戶(hu)的(de)好選(xuan)擇。這(zhe)些激(ji)光(guang)(guang)芯(xin)片跨越12xx至19xx的(de)InP波長(chang)范圍提供，并且具有各(ge)種功率(lv)、腔(qiang)配(pei)置和波長(chang)配(pei)置。SemiNex可(ke)以將其任(ren)何激(ji)光(guang)(guang)芯(xin)片安(an)裝在SemiNex標(biao)準(zhun)封(feng)裝中，或(huo)者SemiNex將與客戶(hu)合作開發定(ding)制封(feng)裝。SemiNex芯(xin)片的(de)應用(yong)(yong)包括激(ji)光(guang)(guang)雷達、軍事瞄準(zhun)、測距和照明。可(ke)根據要求提供自定(ding)義波長(chang)和配(pei)置。
性能特點
- 高性價比
- 高輸出功率
- 高動態范圍
- 效率高
技術參數
- 產地：美國
- 波長：1320nm（±20）
- 輸出功率（CW）*：0.70瓦（±10%）
- 芯片腔長度：2500μm
- 芯片寬度：500μm
- 發射器寬度：5μm
- 發射器高度：1μm
- 光譜寬度：15nm 3dB
- 斜坡效率：0.45W/A
- 快軸分區：30度FWHM
- 慢軸分區：13deg FWHM
- 功率轉換效率：20%
- 閾值電流：0.05A
- 工作電流：1.6A
- 工作電壓：2.2V
- 重量：0.05g
- 工作溫度：-40至60°C
- 儲存溫度：-40至80°C
產品參數
