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Albis光電二極管（APD）芯片APD20D1

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  • 品牌名稱：Albis
  • 規格型號：APD20D1
產品介紹

InP基(ji)雪崩(beng)光(guang)電(dian)(dian)二(er)極管（APD）是一(yi)種高靈敏度的(de)(de)(de)長波長光(guang)電(dian)(dian)二(er)極管。APD可以(yi)被認為是光(guang)電(dian)(dian)二(er)極管，通過稱為雪崩(beng)倍(bei)增(zeng)(zeng)的(de)(de)(de)內部電(dian)(dian)流放大機制提(ti)供內置的(de)(de)(de)低(di)噪聲增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)。由于(yu)低(di)噪聲增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)，與基(ji)于(yu)pin光(guang)電(dian)(dian)二(er)極管的(de)(de)(de)光(guang)學接(jie)收(shou)器相比，APD提(ti)供了接(jie)收(shou)器高靈敏度。Albis 2.5 Gb/s和(he)10 Gb/s APD基(ji)于(yu)先(xian)進的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)，因(yin)此設計用(yong)于(yu)穩健、高產(chan)量的(de)(de)(de)制造(zao)、均勻的(de)(de)(de)器件(jian)特性(xing)、可靠性(xing)和(he)易于(yu)操作。增(zeng)(zeng)益(yi)(yi)特性(xing)的(de)(de)(de)低(di)溫依賴性(xing)允許在(zai)-40°C至85°C的(de)(de)(de)寬溫度范圍內在(zai)未調節(jie)接(jie)收(shou)器中使(shi)用(yong)APD。

性能特點
  • ULTRA高速雪崩光電二極管（APD）芯片，具有Y形焊盤布局和集成背面透鏡。
  • 創新型APD的主要優點是其大的動態范圍和高達+5 dBm的高光學損傷閾值。
  • 典型的應用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
  • APD提供低噪聲乘法和高增益帶寬乘積，這使得能夠設計高靈敏度28G接收機。
  • 在5E-5的BER下，記錄靈敏度為-25 dBm。
  • 集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單有效率的光學耦合。
技術參數

產地：瑞士

光學損傷閾值：高達+5 dBm

響應度：5 A/W

透鏡直徑：100μm

工作偏壓：20 V

低(di)溫依賴性(xing)：10 mV/°C

焊盤布局：Y形

靈(ling)敏度：-25 dBm@ BER of 5E-5

速度：28 Gbd

溫(wen)度范圍：-40°C至85°C

照明：透鏡

程序包類型：裸芯片

產品參數

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