Amptek將硅片制造引入(ru)內部,并改進(jin)了(le)工藝。其(qi)結果是探(tan)測(ce)器具有更低的噪聲、更低的泄漏電(dian)流、更好(hao)的電(dian)荷收集以(yi)及探(tan)測(ce)器之間的均勻性(xing)。這(zhe)使其(qi)成為性(xing)能更好(hao)的硅漂移探(tan)測(ce)器。
FAST SDD代表Amptek高(gao)性能(neng)的硅漂移檢測器(SDD),能(neng)夠在保持(chi)分辨率(lv)的同時,計數(shu)率(lv)超過1000000 CPS(每秒計數(shu))。FAST SDD還可與C系(xi)列(lie)(Si3N4)低能(neng)窗(chuang)一起使用,用于(yu)軟(ruan)x射線分析。
與傳統(tong)SDD不同,FAST SDD在(zai)密封(feng)的(de)(de)(de)(de)(de)TO-8封(feng)裝內(nei)(nei)使(shi)(shi)用(yong)(yong)結柵場(chang)效應晶體管(JFET)和外部前置放大(da)器(qi)(qi),在(zai)TO-8封(feng)裝內(nei)(nei)部使(shi)(shi)用(yong)(yong)互補的(de)(de)(de)(de)(de)金屬氧化物(wu)半導體(CMOS)前置放大(da)器(qi)(qi),并用(yong)(yong)金屬氧化物(wu)半導體場(chang)效應管(MOSFET)代替JFET。這降低(di)(di)了電容,提供(gong)了更(geng)(geng)低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)串(chuan)聯噪聲,并在(zai)極短(duan)的(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)值時間(jian)內(nei)(nei)提高了分辨(bian)率(lv)(lv)。FAST SDD使(shi)(shi)用(yong)(yong)相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)(de)檢(jian)測器(qi)(qi),但前置放大(da)器(qi)(qi)在(zai)短(duan)峰(feng)值時間(jian)內(nei)(nei)提供(gong)較低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)噪聲。改進的(de)(de)(de)(de)(de)(較低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de))分辨(bian)率(lv)(lv)能夠隔(ge)離/分離具有接近能量值的(de)(de)(de)(de)(de)熒(ying)光X射線,否則(ze)峰(feng)值將重疊(die),從而允(yun)許用(yong)(yong)戶(hu)更(geng)(geng)好地識別其樣品(pin)中的(de)(de)(de)(de)(de)所有元素。峰(feng)值時間(jian)短(duan)也會(hui)提高計數(shu)率(lv)(lv);更(geng)(geng)多的(de)(de)(de)(de)(de)計數(shu)提供(gong)更(geng)(geng)好的(de)(de)(de)(de)(de)統(tong)計數(shu)據(ju)。
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