封裝InGaAs光(guang)(guang)電(dian)二極管(PD),針對高(gao)(gao)輸(shu)入光(guang)(guang)功率和(he)輸(shu)出(max)電(dian)流(liu)線性(xing)進行了(le)優(you)化(hua)。該設備設計(ji)用于需要高(gao)(gao)動態范圍(wei)、低噪聲系數(shu)和(he)高(gao)(gao)RF增(zeng)益的(de)光(guang)(guang)纖鏈路(lu)上的(de)RF。內部(bu)部(bu)件(jian)采(cai)用焊(han)接和(he)激光(guang)(guang)焊(han)接,確(que)保(bao)在(zai)環境(jing)溫度變化(hua)的(de)情況下實現(xian)更(geng)大的(de)可靠性(xing)和(he)性(xing)能穩定性(xing)。為了(le)確(que)保(bao)更(geng)大的(de)射頻輸(shu)出平面度,光(guang)(guang)電(dian)二極管具有50歐(ou)姆的(de)片上終(zhong)端和(he)直流(liu)耦合(he)輸(shu)出。
產地:美國
光電二極管電壓(ya):-0.1...8 V
光學輸(shu)出功率:max.80 mW
輸出功(gong)率損壞閾值:275 mW(5.5V偏置)
200 mW(7.5V偏置)
ESD輸出引(yin)腳:-250...250 V
光纖彎曲(qu)半徑(jing):10 mm
波長(chang)范圍:1500...1580 nm
響應性:0.8...0.85 A/W
偏(pian)振相關(guan)靈(ling)敏度(PDS):0.2...0.3 dB
射頻(pin)帶寬:min.20 dB
暗電(dian)流:20...50 nA
PD反向偏置:3...7.5 V
光學(xue)飽和功率:min.18 dBm
光回波損(sun)耗(hao):min.-27 dB
輸出反射系(xi)數:min.-10 dB
射頻(pin)輸(shu)出端接:50Ω
工作溫度:-40...+85°C
儲存(cun)溫度:-55...+95°C
工作(zuo)濕度:0...90%RH
需要高(gao)增益、高(gao)動態范圍和(he)低(di)噪聲(sheng)系數的射(she)頻(pin)光纖互連
惡劣的環境