封裝InGaAs光電二極管(PD),針對(dui)高輸入光功率和(he)(he)輸出(max)電流線(xian)性進行了優化。該(gai)設備(bei)設計用(yong)于(yu)需要高動態范圍、低噪聲系數和(he)(he)高RF增益的(de)光纖鏈路上(shang)的(de)RF。內部部件(jian)采用(yong)焊(han)接和(he)(he)激光焊(han)接,確保(bao)在環境(jing)溫度變(bian)化的(de)情況下實現更大的(de)可靠(kao)性和(he)(he)性能(neng)穩定性。為了確保(bao)更大的(de)射(she)頻輸出平面度,光電二極管具有50歐姆的(de)片上(shang)終端和(he)(he)直流耦合輸出。
產地:美國
光電二極管電壓:-0.1...8 V
光學輸出功(gong)率:max.80 mW
輸出功(gong)率(lv)損壞閾值:275 mW(5.5V偏置)
200 mW(7.5V偏置)
ESD輸(shu)出引腳:-250...250 V
光纖彎(wan)曲半(ban)徑:10 mm
波(bo)長(chang)范圍:1500...1580 nm
響應性(xing):0.8...0.85 A/W
偏振(zhen)相關(guan)靈(ling)敏度(PDS):0.2...0.3 dB
射頻帶寬:min.20 dB
暗電(dian)流(liu):20...50 nA
PD反(fan)向(xiang)偏置:3...7.5 V
光學(xue)飽和(he)功率:min.18 dBm
光回(hui)波損耗:min.-27 dB
輸(shu)出反射系數:min.-10 dB
射頻輸出端接(jie):50Ω
工作溫度:-40...+85°C
儲存溫度(du):-55...+95°C
工作濕度:0...90%RH
需(xu)要高增益(yi)、高動(dong)態范圍和低噪聲系數(shu)的射頻光纖互連
惡劣的環境