獲得(de)850 nm圓形對稱光(guang)束,具有(you)單一縱向模式和低(di)(di)發(fa)散性,可有(you)效耦(ou)合到50/125µm和62.5/125µm MM光(guang)纖(xian)中。我們(men)的高(gao)(gao)速(su)850 nm VCSEL芯片可在多種(zhong)橫(heng)向模式下(xia)工作,并(bing)滿足高(gao)(gao)速(su)數據通信的嚴格規范。這種(zhong)高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)可靠(kao)性的設備設計具有(you)低(di)(di)電寄生效應(ying),數據速(su)率高(gao)(gao)達10 Gbps。
金屬引線框上紫外線膠帶上的(de)劃片晶圓
夾環
Gel Pak
產地:美國
閾值電流:max.1.0 mA
工(gong)作電流:5.0...6.0 mA
邊坡(po)效(xiao)率:0.35...0.53 mW/mA
光輸出功(gong)率:1.7...2.7 mW
工作電壓(ya):1.9 V
差動電阻:45...75 ?
發射(she)波長(chang):840...860 nm
光譜寬度(du),RMS:max.0.35 nm
光束發散:30 °
電容:max.0.35 pF
調制帶寬:min.9 GHz
上升時間(jian):max.40 ps
下降時間(jian):max.45 ps
相(xiang)對強度(du)噪聲:max.-128 dB/Hz
波長調諧系(xi)數:0.06 nm/K
斜率效率變化25C-85℃:-0.1%/K
熱阻抗:3.0 K/mW
光輸出功率:8 mW
峰值正向電(dian)流(max.10秒):12 mA
VCSEL反向電(dian)壓:5 V
工作溫(wen)度:-5...+90°C
儲存溫度:-40...+100°C
安裝溫(wen)度(max.10秒):260°C
光纖通信鏈路可達10 Gb/s
千兆以太網(wang)和存(cun)儲區域(yu)網(wang)絡