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獲得850 nm圓(yuan)形對(dui)稱光束，具有單一縱向模式(shi)(shi)和低發(fa)散(san)性(xing)，可(ke)有效(xiao)耦合到50/125µm和62.5/125µm MM光纖(xian)中(zhong)。我們的(de)高(gao)速850 nm VCSEL芯片可(ke)在多種橫向模式(shi)(shi)下工作，并滿足高(gao)速數據通(tong)信的(de)嚴格規范。這(zhe)種高(gao)性(xing)能、高(gao)可(ke)靠性(xing)的(de)設備設計具有低電寄生效(xiao)應，數據速率高(gao)達10 Gbps。
- 850 nm多模發射
- 低RMS光譜寬度
- 高可靠性
- 低閾值和工作電流
- 低電寄生效應
- 數據速率高達10 Gb/s
- 背面陰極和頂部陽極配置
- 符合RoHS
金屬引(yin)線框上紫外(wai)線膠帶上的劃片晶(jing)圓
夾環
Gel Pak
產地：美國
閾(yu)值電流：max.1.0 mA
工作電流：5.0...6.0 mA
邊坡(po)效率：0.35...0.53 mW/mA
光輸出功(gong)率：1.7...2.7 mW
工作電壓：1.9 V
差動(dong)電阻：45...75 ?
發射波(bo)長：840...860 nm
光譜寬度，RMS：max.0.35 nm
光束發散：30 °
電容：max.0.35 pF
調(diao)制帶寬：min.9 GHz
上升時(shi)間：max.40 ps
下降時間：max.45 ps
相對(dui)強度噪聲(sheng)：max.-128 dB/Hz
波長調諧系數(shu)：0.06 nm/K
斜率效率變(bian)化25C-85℃：-0.1%/K
熱阻抗：3.0 K/mW
光輸出功(gong)率：8 mW
峰值正向電(dian)流（max.10秒(miao)）：12 mA
VCSEL反向電壓：5 V
工作(zuo)溫度：-5...+90°C
儲存溫度：-40...+100°C
安(an)裝溫度（max.10秒）：260°C
光(guang)纖通(tong)信鏈路可達(da)10 Gb/s
千(qian)兆以太網和存儲區域網絡
