Teledyne e2v微控制(zhi)器(qi)(qi)產品包括(kuo):基(ji)于(yu)Power Architecture e200內核的(de)32位Qoriva微控制(zhi)器(qi)(qi),可(ke)運行max.264 MHz。這些設備包括(kuo)閃存(cun)和(he)(he)RAM存(cun)儲器(qi)(qi),以及(ji)許多外部(bu)接(jie)口,使其適用(yong)(yong)于(yu)航空航天(tian)和(he)(he)國防(fang)應(ying)用(yong)(yong)。
憑借Teledyne e2v在環境和性能提升(sheng)技術方面的專(zhuan)業知識(shi),這些微控制器(qi)可(ke)以(yi)用于各種高(gao)可(ke)靠性應用。
產地:英國
1.2 V核心電源電壓:-0.3…2.0 V
SRAM待機(ji)電壓:-0.3…6.4V
時鐘合成(cheng)器電壓:-0.3…5.3 V
I/O電源電壓(ya)(I/O緩沖器(qi)和前置驅(qu)動(dong)器(qi)):–0.3…5.3 V
模擬(ni)電源電壓:-0.3…6.4 V
I/O電源電壓(快(kuai)速I/O焊(han)盤):-0.3…5.3V
I/O電源電壓(中等I/O焊盤):-0.3…6.4V
電壓(ya)調節器輸入電源電壓(ya):-0.3…6.4V
模擬參考高壓:-0.3…6.4V
VSS到VSSA差(cha)分(fen)電壓:–0.1…0.1 V
VREF差(cha)分(fen)電壓(ya):-0.3…6.4V
VRL至(zhi)VSSA差(cha)分電壓:-0.3…0.3 V
VDD33至VDDSYN差分電壓:–0.1…0.1 V
VSSSYN至VSS差分(fen)電壓:–0.1…0.1 V
數字輸入(ru)電流(每個引腳,適(shi)用于所有數字引腳):max.-3 11...3mA
模擬輸入(ru)電流(每個引腳,適(shi)用于(yu)所有(you)模擬引腳):max.-3…3mA
工(gong)作溫度范圍:-55.0℃…150.0℃(模(mo)具接合(he)溫度)
儲存(cun)溫度范圍:–55.0℃…150.0℃
濕度敏感度等級:3