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E2V芯片DDR4

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  • 品牌名稱：E2V
  • 規格型號：DDR4
產品介紹

DDR4理(li)想的(de)伴侶芯片(pian)(pian)，適用(yong)于處(chu)理(li)器、FPGA、SiP解(jie)決(jue)方案等太空(kong)(kong)級(ji)設(she)備(bei)…4/8GB耐(nai)輻射DDR4內存(cun)多芯片(pian)(pian)封(feng)裝(zhuang)（MCP）是一種(zhong)高密度內存(cun)解(jie)決(jue)方案，針對空(kong)(kong)間嵌入式系統和應(ying)用(yong)。

這種(zhong)空(kong)間級DDR4內存能夠提高性能，同(tong)時占用(yong)小(xiao)的板載空(kong)間——這在高度空(kong)間限制、密集的衛(wei)星設計中(zhong)肯定是有價值的。它可以(yi)與具有DDR4控制器(qi)的處理器(qi)和(he)FPGA結合(he)使(shi)用(yong)，也(ye)可以(yi)嵌入Teledyne e2v Space版(ban)本的Qormino通用(yong)計算平(ping)臺(tai)以(yi)及(ji)Space版(ban)本的LS1046四(si)核處理器(qi)（QLS1046-4GB）。與DDR4內存一起(qi)，提供了一個(ge)完(wan)整的輻射和(he)應(ying)用(yong)數據包，使(shi)設計師能夠快速開發他們(men)的板，風險小(xiao)。

性能特點
  • 非常小的占地面積：與使用分立組件相比，節省了板空間。
  • 每立方英寸存儲容量非常高。
  • 每立方英尺存儲帶寬非常高。
  • 堅固耐用：焊接PBGA。
  • 高信號完整性。
  • 8毫米間距：無引線和有引線球選項。
  • 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數、非密封操作的高可靠性和空間應用。
選型指南

技術參數

產地：英國

密度：4GB/8GB

總線寬(kuan)度(du)：72位(wei)（64位(wei)數據(ju)+8位(wei)ECC）

速度：高達2400 MT/s

模塊尺寸：15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球數量：391

間距：0.8 mm

SEL-LET閾值：>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差：100 krad（Si）

質子：可獲得(de)高達190MeV的數據

可(ke)編程CAS延遲(chi)：13,15,16,17,19

復位：異步

兼容封裝(zhuang)：SnPb和RoHS

重量：1.2 g+/-0.1 g

 

產品參數

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