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產品介紹
這些(xie)緊湊(cou)且調制率高的頂(ding)發(fa)射(she)GaAs基垂直腔表(biao)面發(fa)射(she)激光器（VCSEL）芯片可作為工(gong)程樣品用于開發(fa)和(he)評估光學互(hu)連、光學背板和(he)集成波導以及下一代光學數(shu)據通信(xin)系統。VCSEL使(shi)用地源-地（GSG）微探針或引線鍵合(he)在頂(ding)表(biao)面上單獨接觸。
性能特點
- 高達112 Gbit/s（PAM-4調制）
- 單芯片尺寸250 x 250µm
- 適用于引線鍵合
技術參數
產地：德國
發射波長：850 nm（范圍840–860 nm）
數據速率：高達(da)112 Gbit/s
閾(yu)值電(dian)流：<0.6 mA
峰值輸(shu)出功(gong)率(lv)：~4 mW
峰值正(zheng)向電流(liu)：8mA
反向電壓：max.5V
工作溫度：85°C
儲存溫度：-40…100°C
焊接溫(wen)度：150°C
VCSEL間(jian)距：250µm
數據(ju)速率：max.56 GBaud/s
光學帶(dai)寬：max.30 GHz
斜坡效率：max.0.5 W/A
閾(yu)值電(dian)流：max.0.6 mA
差動電阻：max.70?
光束發散度：30°
峰(feng)值輸(shu)出功率：4 mW
光譜帶(dai)寬（RMS）：max.0.65 nm
長度：max.250µm
高度：140…160µm
寬(kuan)度(du)：max.250µm
產品尺寸
產品應用
SWDM中的200G/400G
專有光互連
有源光纜（AOC）
產品參數
