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HC PhotonicsPPLN波導芯片WG-B

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產品介紹

可以在(zai)周期(qi)性極化晶體上制造波(bo)(bo)導(dao)(dao),形成頻率轉換(huan)波(bo)(bo)導(dao)(dao),如 PPLN 塊狀晶體中(zhong)的 PPLN 波(bo)(bo)導(dao)(dao)。PPLN 塊狀芯片易(yi)于使用,可處理(li)更高(gao)的光功(gong)率(高(gao)達幾(ji)瓦特或更高(gao));PPLN 波(bo)(bo)導(dao)(dao)芯片可提供更高(gao)的轉換(huan)效率,因(yin)此可實(shi)現(xian)(xian) PPLN 塊狀芯片無法(fa)實(shi)現(xian)(xian)的多種應用(盡管(guan)在(zai)功(gong)率處理(li)方面(mian)存在(zai)限制,在(zai)耦合優(you)化的實(shi)際(ji)對準(zhun)方面(mian)也具有(you)挑戰性)。

性能特點
  • 為您的“快速插入式 ”非線性混頻應用提供標準庫存
  • 可用于上變頻(SHG/SFG)和下變頻(DFG/OPA/OPG)混頻配置
  • 可用于可見光到中紅外發生器;如需紫外和太赫茲發生器
  • 可用于均勻或啁啾 QPM 結構
技術參數

產地:中國臺灣

泵 λ:900-1000 nm

輸(shu)出 λ:450-500 nm

MFD:4.90x4.09um^2

數值孔徑:0.13x0.15

傳播損(sun)耗:0.9 (0.7) dB/cm

歸一化效率:160%/W/cm^2(250%/W/cm^2)%/W/cm^2

溫(wen)度斜率:~13?C/nm

內核:LiNbO3

波導類(lei)型(xing):質子(zi)內(nei)擴散波導、脊波導

塊狀晶體:PPLN

產品參數

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