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scia Mill 150 專為構造各種(zhong)材(cai)料的(de)復雜(za)多層而設計(ji)。憑借(jie)其完全反(fan)(fan)應氣體兼容性，該(gai)系統還能夠以增強的(de)選(xuan)擇性和(he)速率進行反(fan)(fan)應蝕刻工(gong)藝(yi)。由于其節省空(kong)間的(de)設計(ji)，scia Mill 150 非常適(shi)合小規模生產和(he)研(yan)發應用。
- 蝕刻角度可通過可傾斜和可旋轉的基板支架進行調整
- 無需整形器即可實現好的均勻性
- 使用反應氣體增強選擇性和速率
- 使用準確的 SIMS 或光學終點檢測進行過程控制
- 載體概念可適應各種基板尺寸
- 由于良好的晶圓冷卻，可使用光刻膠掩模處理晶圓
產地：德國
基片尺寸（max）：直徑150 mm。
基片(pian)支架：水冷(leng)，氦氣背面冷(leng)卻接觸，基片(pian)旋轉1至(zhi)20 rpm，可原位(wei)傾(qing)斜(xie)0°至(zhi)165°，步長(chang)0.1°
離子束(shu)源(yuan)：190 mm圓形微波ECR源(yuan)（MW218-e）
中和(he)器：三重(zhong)等離子(zi)橋中和(he)器（N-3DC）
射(she)頻等離子橋(qiao)中(zhong)和器(qi)（RF-PBN）
基準壓力：< 5 x 10-7 mbar
系統尺寸（寬x深x高）：1.90 m x 1.80 m x 1.75 m（不含電氣架）
配置：單腔，可選(xuan)單基片負載鎖，可選(xuan)OES或SIMS終點檢測
軟件接口：SECS II / GEM，OPC
典型去除率：SiO2：30 nm/min
均勻性變化：≤3 %（σ/平(ping)均值）
磁(ci)存儲(chu)器 (MRAM) 和傳感器 (GMR、TMR) 的結構化(hua)
MEMS 生產中的金(jin)屬銑削 (Au、Ru、Ta 等)
不同金屬和介電材料多層的銑削
化合物半(ban)導體 (GaAs、GaN、InP 等) 的化學(xue)輔助離子束蝕刻 (CAIBE)
三維光電微結構的生產
用于降低(di)微(wei)觀粗糙度的(de)離子束(shu)平滑(hua)
用于光柵 (SiO2) 圖案轉移的反應離子束蝕刻 (RIBE)
