產品中心
scia Mill 150 專為構造各種(zhong)材料的復雜多(duo)層而設計(ji)。憑借其完全反應(ying)氣(qi)體兼容性，該系統還(huan)能夠以增強(qiang)的選擇性和速率進行反應(ying)蝕刻工(gong)藝。由于其節省空間的設計(ji)，scia Mill 150 非常適合小規模生產(chan)和研發應(ying)用(yong)。
- 蝕刻角度可通過可傾斜和可旋轉的基板支架進行調整
- 無需整形器即可實現好的均勻性
- 使用反應氣體增強選擇性和速率
- 使用準確的 SIMS 或光學終點檢測進行過程控制
- 載體概念可適應各種基板尺寸
- 由于良好的晶圓冷卻，可使用光刻膠掩模處理晶圓
產地：德國
基(ji)片尺寸（max）：直(zhi)徑150 mm。
基(ji)片(pian)支架：水冷，氦氣(qi)背面冷卻(que)接觸，基(ji)片(pian)旋轉1至(zhi)20 rpm，可(ke)原位傾斜0°至(zhi)165°，步長0.1°
離子束源：190 mm圓形微波ECR源（MW218-e）
中和器：三(san)重等離(li)子橋中和器（N-3DC）
射(she)頻等(deng)離子橋中和器（RF-PBN）
基準壓力：< 5 x 10-7 mbar
系(xi)統尺寸（寬x深x高）：1.90 m x 1.80 m x 1.75 m（不(bu)含電氣(qi)架）
配置：單腔，可(ke)選單基片負載鎖，可(ke)選OES或SIMS終(zhong)點檢測
軟件接口：SECS II / GEM，OPC
典型去除率：SiO2：30 nm/min
均(jun)勻(yun)性(xing)變(bian)化：≤3 %（σ/平(ping)均(jun)值）
磁存(cun)儲器 (MRAM) 和傳感器 (GMR、TMR) 的結構化
MEMS 生產中的金屬銑削 (Au、Ru、Ta 等(deng))
不(bu)同金(jin)屬和介電材料(liao)多層的銑削
化合物(wu)半導體 (GaAs、GaN、InP 等) 的化學輔助離子束蝕刻 (CAIBE)
三(san)維光(guang)電微(wei)結(jie)構的生產
用(yong)于降低(di)微觀粗(cu)糙度的(de)離子束平滑(hua)
用于光柵(zha) (SiO2) 圖案轉移的反(fan)應(ying)離子(zi)束蝕刻 (RIBE)
