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有效的(de)(de)太赫茲 (THz) 輻(fu)射源對于各種科學(xue)和技術應用(yong)非常重要(yao)。重要(yao)的(de)(de)關鍵因素是大帶寬和高太赫茲電(dian)場(chang)幅度。這通(tong)常意味著較大的(de)(de)發射極面(mian)積，并且在傳統概念中需(xu)要(yao)高偏置電(dian)壓（數百伏）以實現必要(yao)的(de)(de)偏置場(chang)強，通(tong)常在 kV/cm 范圍(wei)內。Tera-SED 的(de)(de)主要(yao)優勢是大有效面(mian)積和低偏置電(dian)壓要(yao)求的(de)(de)組合(he)。
Tera-SED 是(shi)一種平面大面積基于 GaAs 的(de)(de)光電(dian)(dian)導發射(she)(she)器，用于脈沖(chong)生成寬帶太赫(he)茲(zi)輻(fu)射(she)(she)。 它具有新穎的(de)(de)叉指式電(dian)(dian)極 MSM 結(jie)構，允許在(zai)單個(ge)電(dian)(dian)極之間(jian)具有 kV/cmbias 場的(de)(de)大活性區域。只需要(yao)低外部(bu)偏(pian)置電(dian)(dian)壓，無需脈沖(chong)高壓電(dian)(dian)源。其(qi)靈活的(de)(de)可擴展設備技術使 Tera-SED 成為有效率(lv)且多功能的(de)(de)太赫(he)茲(zi)發射(she)(she)器。
Tera-SED 不需要外部(bu)冷卻。它(ta)連接到適合 1 英寸光學安裝(zhuang)座的(de)金(jin)屬(shu)支架。易(yi)用性(xing)和輕松對齊(qi)是關鍵資產。
Tera-SED 有兩種不同的版本(ben)：10x10 mm2 可(ke)用區(qu)域(yu)用于放大 fs-laser 系統（脈沖(chong)能(neng)量高(gao)達 300 μJ，從 ~10 μJ 飽和）和 3x3 mm2 可(ke)用區(qu)域(yu)適(shi)合與 fs-laser 一(yi)起使用振蕩器。
- 大面積太赫茲發射器
- 低外部偏置電壓
- 無需外部冷卻
- 叉指設計
