Marana-X 是(shi) Andor 為直接 EUV 和(he)(he)軟 X 射(she)線應用量(liang)身定制的(de)開創性 sCMOS 平臺。手工打造,提供好的(de)性能和(he)(he)多功(gong)能性 Marana-X 在不到(dao) 50 毫秒的(de)時(shi)間內讀(du)取(qu) 4.2 兆像素高分(fen)辨(bian)率(lv)陣(zhen)列,同時(shi)保持低(di)的(de)讀(du)取(qu)噪(zao)聲;比類(lei)似分(fen)辨(bian)率(lv)的(de) CCD 探測器快數百倍(bei)。
與現有的 CCD 相(xiang)比,新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范圍內具有更高(gao)的量子(zi)效率。 Marana-X 、的量子(zi)效率與其CMOS 技術(shu)相(xiang)得益彰,可通(tong)過(guo) 74 fps 全幀快速實(shi)現實(shi)驗時間的更小化和更大的數據吞吐量。
傳感(gan)器類型:背照式(shi)科學 CMOS
陣列(lie)尺寸:2048 (W) x 2048 (H)
4.2 百萬像素
像素尺寸(cun):6.5 x 6.5 μm
圖像(xiang)區:13.3 毫(hao)(hao)米(mi) x 13.3 毫(hao)(hao)米(mi)
(對角線(xian) 18.8 毫米)
讀出模式:滾動快門
像素讀出(chu)率: 310 MHz(快速(su)高動態范圍(wei)模式,16 位)
180 MHz(低噪(zao)聲模式,12 位)
量子效率:高達 99%
讀(du)取(qu)噪聲 (e-) 中值:1.6 e-(快速高動態范圍模式,16 位)
1.2 電子(zi)-(低噪聲模式,12 位)
傳感器工作溫度
風冷:-25°C(max.30°C 環境(jing)溫度)
水冷/液冷:-45°C(@16°C 水)
暗電流
風(feng)冷 (@-25°C) :0.15 e-/像素(su)
水冷/液(ye)冷 (@ -45°C) :0.10 e-/像素
有效區域(yu)像素井深度:
55 000 e-(快(kuai)速高動(dong)態范圍模式,16 位)
1800 e-(低噪聲模式(shi),12 位,位深(shen)度受限)
動(dong)(dong)態范圍(wei):34 000:1(快速高動(dong)(dong)態范圍(wei)模式,16 位(wei))
數據范(fan)圍:16 位(快速高動態范(fan)圍模式)
12 位(wei)(低噪聲模式(shi))
線(xian)性:> 99.7%
PRNU:< 0.5% (@半光范圍)
感興趣區域 (ROI) :用戶可定義(yi),1 像素粒度(du),
Min.尺寸 9(寬(kuan))x 1(高)
預定義 ROI:1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128
像素合(he)并(在 FPGA 上):2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8(也提(ti)供用戶可定義的合(he)并)
真空兼容性:>10 mbar
I/O
O:Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm
I:外部
觸發模式(shi):內部(bu)、外部(bu)、外部(bu)啟動、外部(bu)曝光、軟件(jian)
軟(ruan)件曝光(guang)事件:開(kai)始曝光(guang) - 結(jie)束曝光(guang)(第 1 行),開(kai)始曝光(guang) - 結(jie)束曝光(guang)(第 n 行)
圖像時間戳(chuo)精度(du): 25 ns
PC 接口:USB 3.0和 CoaXPress
安裝(zhuang)法蘭:DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法蘭提(ti)供 M8 或(huo) 5/16 UNC 螺紋孔
原位射線照相
斷層掃描
光譜學
高光譜成像
HHG 源表征
EUV 投影儀
EUV 光刻