Marana-X 是 Andor 為直接(jie) EUV 和(he)軟 X 射線應用量身定(ding)制(zhi)的(de)(de)開創性(xing) sCMOS 平臺。手(shou)工(gong)打造,提(ti)供好的(de)(de)性(xing)能和(he)多(duo)功能性(xing) Marana-X 在不(bu)到 50 毫秒的(de)(de)時間內(nei)讀(du)取(qu) 4.2 兆像(xiang)素高分辨率陣列,同時保持(chi)低的(de)(de)讀(du)取(qu)噪(zao)聲;比類似分辨率的(de)(de) CCD 探測器快數百倍。
與現有(you)的(de) CCD 相比(bi),新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能(neng)量(liang)(liang)范(fan)圍(wei)內(nei)具有(you)更高的(de)量(liang)(liang)子效率。 Marana-X 、的(de)量(liang)(liang)子效率與其CMOS 技術相得益彰,可通(tong)過 74 fps 全幀快速實(shi)現實(shi)驗時間的(de)更小(xiao)化和更大的(de)數(shu)據吞吐量(liang)(liang)。
傳(chuan)感器(qi)類型:背照式科學 CMOS
陣列尺寸:2048 (W) x 2048 (H)
4.2 百萬像素
像素(su)尺(chi)寸:6.5 x 6.5 μm
圖像(xiang)區:13.3 毫(hao)米 x 13.3 毫(hao)米
(對(dui)角線 18.8 毫米)
讀出模式:滾動快門
像(xiang)素讀出(chu)率: 310 MHz(快速(su)高動態(tai)范圍模式(shi),16 位)
180 MHz(低噪聲模(mo)式,12 位)
量子效率(lv):高達 99%
讀取噪聲 (e-) 中值:1.6 e-(快(kuai)速(su)高動態(tai)范圍(wei)模式,16 位)
1.2 電子(zi)-(低噪聲(sheng)模(mo)式(shi),12 位)
傳感器工作溫度
風冷(leng):-25°C(max.30°C 環境(jing)溫(wen)度(du))
水冷/液冷:-45°C(@16°C 水)
暗電流
風冷 (@-25°C) :0.15 e-/像素(su)
水冷/液冷 (@ -45°C) :0.10 e-/像(xiang)素
有效區(qu)域像素井深度:
55 000 e-(快速高動態范圍模式,16 位(wei))
1800 e-(低噪聲模式(shi),12 位,位深度受限(xian))
動(dong)(dong)態(tai)范圍:34 000:1(快速高動(dong)(dong)態(tai)范圍模式,16 位)
數據范(fan)圍:16 位(快(kuai)速高(gao)動態范(fan)圍模(mo)式)
12 位(低噪(zao)聲(sheng)模式)
線性(xing):> 99.7%
PRNU:< 0.5% (@半光(guang)范圍)
感興趣區域(yu) (ROI) :用戶可定義,1 像素粒度,
Min.尺(chi)寸 9(寬(kuan))x 1(高)
預定義 ROI:1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128
像素合并(在 FPGA 上):2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8(也提供用(yong)戶可定(ding)義的(de)合并)
真空(kong)兼容性(xing):>10 mbar
I/O
O:Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm
I:外部
觸發模式:內部(bu)(bu)、外(wai)部(bu)(bu)、外(wai)部(bu)(bu)啟動、外(wai)部(bu)(bu)曝光、軟件
軟(ruan)件曝(pu)(pu)光事(shi)件:開始(shi)曝(pu)(pu)光 - 結(jie)束曝(pu)(pu)光(第 1 行(xing)),開始(shi)曝(pu)(pu)光 - 結(jie)束曝(pu)(pu)光(第 n 行(xing))
圖(tu)像時間戳精度: 25 ns
PC 接口(kou):USB 3.0和(he) CoaXPress
安裝法蘭(lan):DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法蘭(lan)提(ti)供 M8 或 5/16 UNC 螺紋孔(kong)
原位射線照相
斷層掃描
光譜學
高光譜成像
HHG 源表征
EUV 投影儀
EUV 光刻