Lumentum APD 芯片是一種基(ji)于磷化銦 (InP) 的器(qi)件,設計用于高(gao)達(da) 11.3 Gbps 的高(gao)性能電信接(jie)收(shou)器(qi)應用。 通(tong)過提供(gong) 30 μm 孔徑的環形觸(chu)點,通(tong)過中央(yang)有源區(qu)的頂部照明接(jie)收(shou)光信號。
P(陽極(ji))和 N(陰極(ji))觸(chu)點在有源區上施加(jia)反向(xiang)電偏壓(ya)。 圓(yuan)形 P 鍵(jian)合焊盤的(de)直徑為 70 微米(mi),適用于引線鍵(jian)合。
APD 適用于以(yi) M3 和 M10 之間的倍(bei)增增益因子以(yi)高達 11.3 Gbps 的速度運行。
性能(neng)通(tong)過包括 DC、CV 和 AC 測(ce)試測(ce)量的晶圓測(ce)試來(lai)檢查(cha)。
<1FIT 的可(ke)靠性源自超(chao)過 400 億(yi)個現場小時。
Telcordia ESD 等(deng)級(ji):min. 500 V型號。
擊穿電(dian)壓(在(zai)黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26…-32 V
暗(an)電流(在黑暗(an)中,Vbr * 0.9) Id9:50 毫安(an)
3dB 帶寬,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 :6.0 GHz
3dB 帶寬,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM3:6.0 GHz
響應度 (10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W
在(zai)固定電(dian)(dian)壓下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 時的電(dian)(dian)流(liu)比
)R1610/R1550:0.75
1300 nm 與 1550 nm 的響應率(lv)比(bi)(bi)(在(zai)固定電壓下(VM3 和(he) VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 時的電流比(bi)(bi))R1300/R1550:0.70
Vbr 溫度系數(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 …0.061 Vdeg-1
總電容(At Vbr * 0.9)C:0.22…0.25 pF
光過載(M3)Povld:-2 dBm
長途網絡
單模數據通信和電信
10G PON