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由 6 個芯片硅 P/N 光(guang)電二極(ji)管陣列(lie)組(zu)成的(de)光(guang)學器件，輸(shu)出信(xin)號(hao)具(ju)有高均勻性。 該(gai)器件基于 PiN 二極(ji)管，具(ju)有反向偏置的(de)性能。 每個硅片的(de)有效(xiao)面積為 2.5 x 1.1 mm2。
高光學響應(ying)度歸因(yin)于沉積在光電二極管有源區域上的優(you)化抗(kang)反射涂層。 暗(an)電流(liu)非常適(shi)合(he)高溫應(ying)用。
選擇材料是為(wei)了(le)在整個溫度(du)范圍內(nei)獲得更好(hao)的性能。OID7與市場(chang)上其他標準件完全(quan)兼容，如OPR2100、OL2100、PA2100； 它在硅片（前端）和封(feng)裝（后端）中都有特殊(shu)設計(ji)，從而(er)提高(gao)了(le)組件的可(ke)靠(kao)性。
- 高響應度 (> 0.65 A/W @ *= *p)
- 高量子效率（> 90% @ Vr=5V）
- 擴展溫度范圍 -40°C +125°C
- 廣泛的活動區域
- 快速響應時間
- 低暗電流
- 完全兼容 OPR2100-OL2100-PA2100
工作溫度范圍：-40…125 °C
儲存溫度：-40：125 °C
引線溫(wen)度（焊料(liao)）3s：260 °C
反向擊穿電壓@TA=25°C IR=100uA：40 V
芯片對(dui)環境（封(feng)裝）的(de)熱阻：110 °C/W
暗電流
T=25°C VR=5V：典型(xing)0.35 nA ，max.5 nA
T=125°C VR=5V：典(dian)型5 uA
響應度 VR=5V λ=950nm：0.5…0.65 A/W
峰值響應度 VR=5V：950 nm
光譜帶寬@50% VR=5V：600…1050 nm
正向電壓 IF=10mA：0.85 V
上升時間 (10%...90%) （VR=20V RL=50，λ=650nm ip=250uA）：40 ns
下降時間 (90%...10%) ：40 ns
電容 VR=0V f=10kHz Φ=0：典型(xing)20 pF，max.30 pF
有效面積：2.75 mm2
有效區域長(chang)度：2.5 mm
有效(xiao)區域寬度：1.1 mm
增量旋轉編碼器
增量線性編碼器
一般用途
