產品中心
產品分類
產品分類
品牌標簽
品牌標簽
由 6 個(ge)芯片硅(gui) P/N 光(guang)電二極管(guan)陣列組成的(de)光(guang)學器(qi)(qi)件(jian)，輸(shu)出信號具有高均勻性(xing)。 該器(qi)(qi)件(jian)基于(yu) PiN 二極管(guan)，具有反向偏置(zhi)的(de)性(xing)能。 每個(ge)硅(gui)片的(de)有效(xiao)面積(ji)為 2.5 x 1.1 mm2。
高光學響應(ying)度(du)歸因于沉(chen)積在光電二(er)極管有源區域上(shang)的(de)優化抗反射涂(tu)層(ceng)。 暗電流(liu)非常適(shi)合高溫(wen)應(ying)用。
選擇材料是為(wei)了在整(zheng)個溫度范圍內(nei)獲(huo)得更好(hao)的性能(neng)。OID7與市場上其(qi)他(ta)標準件完全兼(jian)容，如OPR2100、OL2100、PA2100； 它在硅片（前端(duan)）和封裝（后端(duan)）中都有特殊設(she)計(ji)，從而提高(gao)了組件的可(ke)靠性。
- 高響應度 (> 0.65 A/W @ *= *p)
- 高量子效率（> 90% @ Vr=5V）
- 擴展溫度范圍 -40°C +125°C
- 廣泛的活動區域
- 快速響應時間
- 低暗電流
- 完全兼容 OPR2100-OL2100-PA2100
工作溫度(du)范圍：-40…125 °C
儲(chu)存(cun)溫度：-40：125 °C
引線溫(wen)度（焊料）3s：260 °C
反向(xiang)擊(ji)穿(chuan)電壓@TA=25°C IR=100uA：40 V
芯片對環境（封裝）的熱阻：110 °C/W
暗電流
T=25°C VR=5V：典型0.35 nA ，max.5 nA
T=125°C VR=5V：典型5 uA
響應度 VR=5V λ=950nm：0.5…0.65 A/W
峰值響應度 VR=5V：950 nm
光譜帶寬@50% VR=5V：600…1050 nm
正向電壓 IF=10mA：0.85 V
上升時間 (10%...90%) （VR=20V RL=50，λ=650nm ip=250uA）：40 ns
下降時間 (90%...10%) ：40 ns
電容 VR=0V f=10kHz Φ=0：典型20 pF，max.30 pF
有效面積：2.75 mm2
有(you)效區域(yu)長度：2.5 mm
有效區(qu)域(yu)寬度(du)：1.1 mm
增量旋轉編碼器
增量線性編碼器
一般用途
