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OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極，該集電極連接到單個焊盤，每個發射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學間距為 0.45 mm，LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm2。
該產(chan)品的(de)優點是硅傳感器(qi)的(de)高度均(jun)勻性(xing)，由(you)于單片結構和受(shou)控的(de)微電子過(guo)程，信號的(de)高穩定性(xing)和高光學響應性(xing)，由(you)于沉積在光電晶體管區(qu)域上的(de)抗反射涂(tu)層。
該設(she)備采用薄(bo)塑料(liao)薄(bo)膜(mo)保(bao)護，可(ke)(ke)(ke)抵(di)抗回(hui)流爐工(gong)藝(yi)。一旦將設(she)備組裝到電(dian)子板(ban)上，就須去(qu)除薄(bo)膜(mo)，用戶可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)安(an)裝光(guang)學標(biao)線(xian)片。尺(chi)寸減小(xiao)，以(yi)(yi)優化成本和編(bian)碼器空間。兩(liang)個參(can)考標(biao)記可(ke)(ke)(ke)用于準確(que)的標(biao)線(xian)定位。
- 耐焊接工藝，MSL2
- 硅電池的高均勻性
- 更小的光學間距，更寬的有效區域
- 高增益
- 非常小的尺寸
- 準確安裝的參考點
- 提供分劃板組裝服務
工作溫度范(fan)圍：-40 100 °C
儲存(cun)溫度：-40 100 °C
引線溫度(du)（焊錫）3s：230 °C
集電極-發射極擊穿電壓@TA=25°C IB=100nA IC=1mA：50 V
功耗，TA=25°C 時：150 mW
靜電放電敏感性：3級
暗電流 VR=10V：典型5nA，max.100 nA
響應度：0.5 A/W
峰值響應度 VCE=5V：750 nm
光譜帶寬@50% VCE=5V：500…950 nm
發射極-集電極電流 VCE=7.7V：0.025…100 μA
集電極-發射極電流 VCE=52V：0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA：典型500，min.1100，max.500
飽和電壓 IE=2mA IB=20μA：80…200 mV
通態集電極電流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2：1 mA
上升時間VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
下降時間 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
光電晶體管有效面積：0.125 mm2
有效區(qu)域長(chang)度：0.25 mm
有效區(qu)域寬度：0.50 mm
光學編碼器
增量編碼器
光接收器
控制/驅動
光傳感器
