半導(dao)體發(fa)光二極管是材料為(wei)半導(dao)體，結(jie)構為(wei)pn結(jie)組成的，能發(fa)光的二極管。 

特點：

發射波(bo)長覆(fu)蓋可見光——紅外(wai)——遠(yuan)紅外(wai)， 結構比較(jiao)簡單(dan)。是至(zhi)今世界上應用(yong)多(duo)，產量(liang)多(duo)的光點產品。產量(liang)大(da)，價格便宜(yi)， 工作穩定，使(shi)用(yong)簡單(dan)。

發光二極管的分類： 

按(an)材料分類：依(yi)據芯片的材料，外延層，參雜雜質，可大致估計出發光二極管的顏色，波(bo)長(chang)等基本特性。

按(an)發光顏色分類：發光二(er)極管的發光顏色有紅(hong)，橙，綠，藍(lan)， 雙色，三色等多種，以及近紅(hong)外(wai)和紅(hong)外(wai)等不可見的發光管。
按(an)器件封(feng)(feng)裝(zhuang)：封(feng)(feng)裝(zhuang)種類很多(duo)，有環(huan)氧(yang)樹脂全包封(feng)(feng)，金(jin)屬底(di)座(zuo)環(huan)氧(yang)封(feng)(feng)裝(zhuang)，陶瓷底(di)座(zuo)環(huan)氧(yang)封(feng)(feng)裝(zhuang)，和玻(bo)璃(li)封(feng)(feng)裝(zhuang)等。
發(fa)(fa)光(guang)(guang)面(mian)(mian)(mian)特征：采用(yong)不同的(de)表(biao)面(mian)(mian)(mian)封(feng)(feng)裝，會有不同的(de)效果，如半(ban)球(qiu)狀有會聚光(guang)(guang)的(de)作用(yong)。按(an)封(feng)(feng)裝表(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)形(xing)(xing)狀可(ke)分圓形(xing)(xing)，方(fang)形(xing)(xing)， 半(ban)球(qiu)狀有會聚光(guang)(guang)的(de)作用(yong)。按(an)封(feng)(feng)裝表(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)形(xing)(xing)狀可(ke)分圓形(xing)(xing)，方(fang)形(xing)(xing)， 矩形(xing)(xing)，面(mian)(mian)(mian)發(fa)(fa)光(guang)(guang)管，側向發(fa)(fa)光(guang)(guang)管，微形(xing)(xing)發(fa)(fa)光(guang)(guang)管等多種。
按發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)強(qiang)度(du)(du)：發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)強(qiang)度(du)(du)小(xiao)于10（mcd ）毫(hao)坎(kan)德拉(la)(la)（cd定義：波長為(wei)(wei)(wei)550nm的(de)(de)單色(se)光(guang)(guang)(guang)源發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)時，若其在某(mou)一方(fang)向(xiang)(xiang)上輻射強(qiang)度(du)(du)為(wei)(wei)(wei)1/681W/sr ( 瓦(wa) /球面度(du)(du) )則稱此單色(se)光(guang)(guang)(guang)源在該方(fang)向(xiang)(xiang)上的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)強(qiang)度(du)(du)為(wei)(wei)(wei)1坎(kan)德拉(la)(la)，既(ji)1cd）為(wei)(wei)(wei)普(pu)通亮度(du)(du)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)管，10 —100mcd為(wei)(wei)(wei)高(gao)(gao)亮 度(du)(du)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)管，100mcd以上的(de)(de)稱高(gao)(gao)亮度(du)(du)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)管。
按應用(yong)：有指示(shi)燈，照明(ming)燈，數(shu)碼顯示(shi)器，短(duan)距離光(guang)通信光(guang)源等。
發光二極管基本結構 
發光二極管的(de)結構多(duo)樣 , 以滿足不同的(de)應用要求。 
從pn結(jie)結(jie)構(gou)看，有 GaP ：N之類的普通二極管，結(jie)構(gou)簡單，也有復雜(za)的如單異質和(he)雙異質結(jie)構(gou)。 
從發光方向看，有面(mian)發射(she)和邊發射(she)二極管(guan)。 
從(cong)封裝上(shang)看，右半球形，扁形以及同(tong)光(guang)纖(xian)耦合(he)的(de)帶尾纖(xian)TO型等多種。

發光二極管的基本特征
發(fa)光二極管為(wei)半導體光電(dian)子器件，其基本特征包括電(dian)學特性， 光學特性和光電(dian)轉換特性。

1.發光(guang)強度(du) ：指發光(guang)二極管(guan)在正向工(gong)作電流驅動下發出的光(guang)強。普通(tong)發光(guang)二極管(guan)的發光(guang)強度(du)較小，常用單位為毫坎德(de)拉(la)。 
2.發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜特性(xing)：半(ban)(ban)導(dao)體中參(can)與(yu)電子(zi)半(ban)(ban)導(dao)體中參(can)與(yu)電子(zi)—空穴復合的能帶(dai)有一(yi)定(ding)寬度，而不是能級之間(jian)的載流子(zi)復合發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)，這造成發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)管(guan)的發(fa)(fa)(fa)射光(guang)(guang)譜較寬，通常光(guang)(guang)譜半(ban)(ban)寬度為50 ～150nm。
3.溫(wen)(wen)度(du)特性(xing)：半導(dao)體對溫(wen)(wen)度(du)非常(chang)敏感，無(wu)論發光波(bo)長還(huan)是發光半導(dao)體對溫(wen)(wen)度(du)變(bian)(bian)化而變(bian)(bian)化,溫(wen)(wen)升(sheng)引(yin)起紅移，同時溫(wen)(wen)升(sheng)是載流子(zi)分布(bu)變(bian)(bian)寬，發光光譜變(bian)(bian)寬。

4.發光效率η和出(chu)光效率ηout。

發(fa)光效(xiao)率(lv)指半導體(ti)的(de)(de)體(ti)內(nei)復合產生的(de)(de)光子數(shu)同注入的(de)(de)電子—空(kong)穴(xue)對數(shu)之比(bi)，采用直接(jie)帶(dai)隙半導體(ti)可(ke)獲得較(jiao)高(gao)的(de)(de)發(fa)光效(xiao)率(lv)。通(tong)過(guo)減(jian)少(shao)內(nei)部(bu)吸(xi)收，增大表面透過(guo)率(lv)等方法，可(ke)以提高(gao)出光效(xiao)率(lv)。

（來源(yuan)：網絡，版權(quan)歸原(yuan)作者）