晶體管的(de)代(dai)表形狀
晶體管(guan)分(fen)類圖(tu)：按照該分(fen)類，掌握其(qi)種類
1. 按結構分類
根據工作原理不(bu)同分(fen)(fen)類(lei)，分(fen)(fen)為雙極(ji)晶(jing)體管和單極(ji)晶(jing)體管。
雙極晶體管
雙(shuang)是(shi)指(zhi)(zhi)Bi（2個(ge)）、極(ji)是(shi)指(zhi)(zhi)Polar（極(ji)性(xing)）。雙(shuang)極(ji)晶(jing)(jing)體管(guan)，即流經構成晶(jing)(jing)體管(guan)的半導體的電流由(you)空穴（正極(ji)性(xing)）和電子(zi)（負(fu)極(ji)性(xing)）產生。一(yi)般而(er)言的晶(jing)(jing)體管(guan)是(shi)指(zhi)(zhi)這種由(you)硅構成的晶(jing)(jing)體管(guan)。
FET
Field Effect Transistor的簡稱(cheng)，是指(zhi)場效應晶體(ti)管。有接合型(xing)(xing)FET和MOS型(xing)(xing)FET以及(ji)GaAs型(xing)(xing)。
接合型FET多(duo)用(yong)于(yu)(yu)音頻設備等的模擬電路(lu)中，MOS型FET主要(yao)用(yong)于(yu)(yu)微控制器等數字IC。
GaAs型(xing)用于衛星廣播信(xin)號接(jie)收等的(de)微波增幅。
※MOS
Metal Oxide SemicONductor的簡稱(cheng)，因其構(gou)造分別是金屬 (Metal)、硅(gui)酸(suan)化膜 (Oxide)、半導體 (SemicONductor)，故稱(cheng)MOS。MOS還分為P型、N型、C型，因為消費電流小，用于(yu)微控制器等集(ji)成(cheng)度高(gao)的IC。
2. 按功率分類
主要以max額定值的(de)(de)集電(dian)極功(gong)率PC進行區分(fen)的(de)(de)方(fang)法。大體分(fen)為小信號晶體管和功(gong)率晶體管，一般(ban)功(gong)率晶體管的(de)(de)功(gong)率超過1W。
小信號晶體管
max集電(dian)(dian)極電(dian)(dian)流 (IC(max)) 在500mA以下，max集電(dian)(dian)極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體(ti)管。相對功率晶體(ti)管而得名，一(yi)般以樹脂封裝(zhuang)居多，這是(shi)其(qi)特點之一(yi)。
功率晶體管
一般功(gong)率(lv)晶體(ti)管的功(gong)率(lv)超過1W。相比小信號晶體(ti)管擁有更(geng)大的max集電極電流、max集電極功(gong)率(lv)，對于(yu)散熱而言，它(ta)本身形狀就(jiu)很(hen)大 ，有的功(gong)率(lv)晶體(ti)管上還覆(fu)蓋著金屬散熱片。
晶體管"一詞(ci)由(you)Transfer（傳送信(xin)號）和(he)Resistor（電阻(zu)器）組成。構成晶體管的(de)(de)硅是形(xing)成地球的(de)(de)巖石(shi)中大量(liang)含(han)有的(de)(de)物質。因(yin)此(ci)，晶體管也俗稱(cheng)"石(shi)"，設計者常(chang)用"…之石(shi)"的(de)(de)叫法
3. 按集成度分類
為滿(man)足客戶需求，ROHM在分立式(shi)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)以外，還(huan)制造集成多(duo)個晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)復合晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)。包(bao)括(kuo)內置(zhi)電阻(zu)的(de)(de)數字晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)、集多(duo)個晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)于一體(ti)的(de)(de)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)陣列，還(huan)有(you)構成簡單電路(lu)的(de)(de)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)單元。
※數字晶體管
內置電阻的(de)晶體管(guan)。它(ta)是在電路設計中將頻繁(fan)使(shi)用的(de)部(bu)分標準化的(de)產物。
4. 按形狀分類
根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
（來源：網絡，版權歸原(yuan)作者）
