晶體管的代表形狀
晶(jing)體(ti)管分類圖(tu)：按照(zhao)該分類，掌握其種類
1. 按結構分類
根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。
雙極晶體管
雙(shuang)是(shi)指(zhi)Bi（2個(ge)）、極(ji)(ji)(ji)是(shi)指(zhi)Polar（極(ji)(ji)(ji)性(xing)）。雙(shuang)極(ji)(ji)(ji)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)，即流經(jing)構(gou)成晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)的(de)半導體的(de)電流由空穴(xue)（正極(ji)(ji)(ji)性(xing)）和電子（負極(ji)(ji)(ji)性(xing)）產生。一般而言的(de)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)是(shi)指(zhi)這種由硅構(gou)成的(de)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)。
FET
Field Effect Transistor的簡(jian)稱，是指場效(xiao)應晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合(he)型(xing)FET多(duo)用于音(yin)頻(pin)設備等的(de)模擬電(dian)路中，MOS型(xing)FET主要用于微控制器等數字IC。
GaAs型用于衛星廣播信(xin)號接收等的(de)微(wei)波(bo)增幅。
※MOS
Metal Oxide SemicONductor的簡稱，因(yin)其構造分(fen)別(bie)是金(jin)屬 (Metal)、硅(gui)酸化膜 (Oxide)、半導體 (SemicONductor)，故(gu)稱MOS。MOS還分(fen)為P型、N型、C型，因(yin)為消費(fei)電流小，用于微控制器等集成度高的IC。
2. 按功率分類
主要以max額定值(zhi)的(de)集電極功率(lv)PC進行(xing)區分的(de)方法。大體(ti)(ti)分為小信號(hao)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)和功率(lv)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)，一般功率(lv)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)功率(lv)超過1W。
小信號晶體管
max集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu) (IC(max)) 在500mA以(yi)下，max集(ji)電(dian)極(ji)功率(lv) (PC(max)) 不超過(guo)1W的(de)晶體管。相對功率(lv)晶體管而得(de)名，一般以(yi)樹脂(zhi)封裝居多，這是(shi)其特(te)點之一。
功率晶體管
一般功(gong)率(lv)晶體管(guan)(guan)的(de)功(gong)率(lv)超過1W。相比小信號晶體管(guan)(guan)擁有更大的(de)max集電極電流、max集電極功(gong)率(lv)，對于散(san)熱而言，它本身形狀就(jiu)很大 ，有的(de)功(gong)率(lv)晶體管(guan)(guan)上還覆蓋著金(jin)屬(shu)散(san)熱片(pian)。
晶(jing)(jing)體管(guan)"一詞由(you)Transfer（傳送信號）和Resistor（電(dian)阻器）組成。構成晶(jing)(jing)體管(guan)的硅是形成地球的巖石(shi)中大量含有(you)的物質。因(yin)此，晶(jing)(jing)體管(guan)也(ye)俗稱"石(shi)"，設計者常用"…之石(shi)"的叫法(fa)
3. 按集成度分類
為滿足客戶(hu)需(xu)求，ROHM在分立式晶體(ti)管(guan)(guan)以外(wai)，還制造集成(cheng)(cheng)多個(ge)(ge)晶體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)復合(he)晶體(ti)管(guan)(guan)。包(bao)括內置電阻的(de)(de)數字晶體(ti)管(guan)(guan)、集多個(ge)(ge)晶體(ti)管(guan)(guan)于一體(ti)的(de)(de)晶體(ti)管(guan)(guan)陣列，還有構成(cheng)(cheng)簡單(dan)電路的(de)(de)晶體(ti)管(guan)(guan)單(dan)元。
※數字晶體管
內(nei)置電阻的晶(jing)體管。它是在電路設(she)計中將頻繁使用的部分標準化的產物。
4. 按形狀分類
根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
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