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Norcada 碳化硅(gui)膜為(wei)電(dian)子(zi)(zi)、X 射(she)(she)線和(he)(he)光(guang)學(xue)顯微鏡提供了堅固的導電(dian)基(ji)板(ban)。SiC是一種具有高導熱性和(he)(he)導電(dian)性的導電(dian)晶體材料，為(wei)元素分(fen)析提供了無(wu)氮環境。SiC膜可(ke)(ke)用作原位電(dian)化學(xue)和(he)(he)氣(qi)體電(dian)池(chi)的基(ji)板(ban)，以(yi)及薄膜外(wai)延生長的基(ji)板(ban)。這些獨特的膜還可(ke)(ke)以(yi)用作X射(she)(she)線光(guang)學(xue)器(qi)件，光(guang)子(zi)(zi)晶體，量(liang)子(zi)(zi)諧振器(qi)和(he)(he)MEMS結構的基(ji)礎。SiC 還可(ke)(ke)用作 X 射(she)(she)線光(guang)學(xue)器(qi)件、X 射(she)(she)線束出(chu)入口(kou)(kou)窗口(kou)(kou)、探測器(qi)窗口(kou)(kou)和(he)(he) X 射(she)(she)線終端站的透射(she)(she)窗口(kou)(kou)。請聯系Norcada以(yi)獲取有關(guan)SiC傳輸窗口(kou)(kou)的更多信息，因為(wei)某些單元的設計和(he)(he)組(zu)成可(ke)(ke)能需(xu)要(yao)更改(gai)。
性能特點
- 用于薄膜和生物材料的EDX元素分析和X射線光譜的無氮底物
- 高導熱性
- 低電阻率硅框架，增加電荷和散熱
技術參數
- 產地：加拿大
- 厚度:50nm
- 薄膜尺寸：0.50×0.50mm
- 孔徑：2.0µm
- 孔間距：3.0µm
- 是否進口：是
- 應用：廣泛
- 封裝：廠家制定
- 性能：良好
- 可靠性：高
產品參數
