SiC提供了(le)極(ji)端輻(fu)射硬(ying)度(du)、近乎(hu)的(de)(de)(de)(de)可(ke)見失明、低(di)(di)(di)暗(an)電(dian)(dian)流(liu)、高(gao)(gao)速和低(di)(di)(di)噪(zao)聲(sheng)。這些特(te)性使SiC成(cheng)為用(yong)(yong)于(yu)(yu)可(ke)見光(guang)(guang)(guang)盲(mang)半導體的(de)(de)(de)(de)材料紫(zi)(zi)外(wai)線探(tan)測器。按(an)照標準(zhun)(zhun)，我們(men)的(de)(de)(de)(de)SiC探(tan)測器可(ke)以在高(gao)(gao)達170°C的(de)(de)(de)(de)溫度(du)下運行(xing)。可(ke)提供350°C版(ban)(ban)本。溫度(du)系(xi)(xi)數(shu)也很低(di)(di)(di)，＜0.1%/K。由于(yu)(yu)低(di)(di)(di)噪(zao)聲(sheng)（fA范(fan)(fan)(fan)圍(wei)內的(de)(de)(de)(de)暗(an)電(dian)(dian)流(liu)），非常低(di)(di)(di)可(ke)以可(ke)靠地(di)(di)測量(liang)(liang)紫(zi)(zi)外(wai)線輻(fu)照度(du)。光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極(ji)管(guan)有(you)(you)七種(zhong)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)有(you)(you)源芯片(pian)面(mian)積，從0.06平方毫米(mi)起高(gao)(gao)達36平方毫米(mi)標準(zhun)(zhun)版(ban)(ban)本為寬帶UVA-UVB-UVC。四種(zhong)過濾版(ban)(ban)本的(de)(de)(de)(de)靈敏度(du)范(fan)(fan)(fan)圍(wei)更窄。全部(bu)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極(ji)管(guan)有(you)(you)一(yi)個(ge)密封的(de)(de)(de)(de)金(jin)屬外(wai)殼（TO型），直徑為5.5毫米(mi)（TO18）或(huo)9.2毫米(mi)（TO5）另一(yi)種(zhong)選擇是2引(yin)腳接頭（1個(ge)隔離(li)，1個(ge)接地(di)(di)）或(huo)3引(yin)腳接頭（2個(ge)隔離(li)，一(yi)個(ge)接地(di)(di)用(yong)(yong)于(yu)(yu)200nm以下的(de)(de)(de)(de)真空UV測量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)SG03系(xi)(xi)列(lie)或(huo)用(yong)(yong)于(yu)(yu)增強UVA靈敏度(du)范(fan)(fan)(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)6H系(xi)(xi)列(lie)，SMD封裝的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極(ji)管(guan)和具有(you)(you)圓(yuan)形有(you)(you)源的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極(ji)管(guan)用(yong)(yong)于(yu)(yu)更均(jun)勻的(de)(de)(de)(de)視場。

• 紫外寬帶（UVA+UVB+UVC）
• 0.50 mm 2檢測器區域
• 扁平TO18 密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10 µW/cm 2輻照在280 nm（峰值響應率）下產生約 10 μW/cm 2 的電流。8納安
• 具有PTB的SiC芯片報告了高輻射硬度

• 工作溫度：-55+170°C
• 儲存溫度：-55+170°C
• 焊接溫度（3s）：260°C
• 反向電壓：20V
• 溫度系數：＜0.1%/K
• 短路（峰值10µW/cm2）：8.0nA
• 電容：125pF
• 暗電流（1V反向偏置）：1.7fA
• 有效面積：0.50mm2
• 響應范圍（S=0.1*Smax）：221-358nm
• max光譜響應波長：280nm
• 產地：德國