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SiC提供了極端輻(fu)射硬度(du)、近乎的(de)(de)(de)可(ke)(ke)見(jian)(jian)失明(ming)、低暗電流、高(gao)(gao)速和低噪聲。這(zhe)些(xie)特(te)性(xing)使(shi)SiC成為用(yong)于(yu)(yu)可(ke)(ke)見(jian)(jian)光(guang)盲半導體的(de)(de)(de)材料紫外(wai)線(xian)探測(ce)器。按(an)照標(biao)準(zhun)，我們(men)的(de)(de)(de)SiC探測(ce)器可(ke)(ke)以在高(gao)(gao)達(da)170°C的(de)(de)(de)溫度(du)下運行。可(ke)(ke)提供350°C版本。溫度(du)系數也很低，＜0.1%/K。由于(yu)(yu)低噪聲（fA范(fan)(fan)圍(wei)內的(de)(de)(de)暗電流），非(fei)常低可(ke)(ke)以可(ke)(ke)靠地(di)測(ce)量紫外(wai)線(xian)輻(fu)照度(du)。光(guang)電二(er)極管(guan)有(you)七種(zhong)不同的(de)(de)(de)有(you)源(yuan)芯片面積，從0.06平方(fang)(fang)毫(hao)米(mi)起高(gao)(gao)達(da)36平方(fang)(fang)毫(hao)米(mi)標(biao)準(zhun)版本為寬(kuan)帶UVA-UVB-UVC。四種(zhong)過濾版本的(de)(de)(de)靈(ling)敏度(du)范(fan)(fan)圍(wei)更窄。全部(bu)的(de)(de)(de)光(guang)電二(er)極管(guan)有(you)一(yi)個(ge)密封的(de)(de)(de)金屬外(wai)殼（TO型），直徑為5.5毫(hao)米(mi)（TO18）或(huo)9.2毫(hao)米(mi)（TO5）另一(yi)種(zhong)選擇(ze)是2引腳接(jie)(jie)頭(tou)（1個(ge)隔離(li)，1個(ge)接(jie)(jie)地(di)）或(huo)3引腳接(jie)(jie)頭(tou)（2個(ge)隔離(li)，一(yi)個(ge)接(jie)(jie)地(di)用(yong)于(yu)(yu)200nm以下的(de)(de)(de)真空(kong)UV測(ce)量的(de)(de)(de)SG03系列(lie)或(huo)用(yong)于(yu)(yu)增強UVA靈(ling)敏度(du)范(fan)(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)6H系列(lie)，SMD封裝的(de)(de)(de)光(guang)電二(er)極管(guan)和具有(you)圓形有(you)源(yuan)的(de)(de)(de)光(guang)電二(er)極管(guan)用(yong)于(yu)(yu)更均勻的(de)(de)(de)視場。
- 紫外寬帶（UVA+UVB+UVC）
- 0.50 mm 2檢測器區域
- 扁平TO18 密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
- 10 µW/cm 2輻照在280 nm（峰值響應率）下產生約 10 μW/cm 2 的電流。8納安
- 具有PTB的SiC芯片報告了高輻射硬度
- 工作溫度：-55+170°C
- 儲存溫度：-55+170°C
- 焊接溫度（3s）：260°C
- 反向電壓：20V
- 溫度系數：＜0.1%/K
- 短路（峰值10µW/cm2）：8.0nA
- 電容：125pF
- 暗電流（1V反向偏置）：1.7fA
- 有效面積：0.50mm2
- 響應范圍（S=0.1*Smax）：221-358nm
- max光譜響應波長：280nm
- 產地：德國
