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采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封(feng)裝(zhuang)的(de)(de) CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先進的(de)(de)溝槽(cao)半導(dao)體工(gong)藝，該工(gong)藝經過優化(hua)，兼具(ju)性(xing)(xing)能(neng)和工(gong)作可靠性(xing)(xing)。CoolSiC 技術(shu)的(de)(de)低功率(lv)損耗與全新 1200 V 優化(hua) SMD 封(feng)裝(zhuang)中(zhong)的(de)(de) .XT 互(hu)(hu)連技術(shu)相結(jie)合，在(zai)驅(qu)動(dong)器、充電(dian)器和工(gong)業電(dian)源等(deng)應(ying)用中(zhong)實現了效率(lv)和被動(dong)冷卻潛力。開關損耗低，短路耐受(shou)時(shi)間(jian)為 3 µs，完(wan)全可控的(de)(de) dV/dt，基準(zhun)柵極(ji)閾值電(dian)壓 VGS(th) = 4.5 V，對寄生(sheng)導(dao)通具(ju)有堅固性(xing)(xing)，可采用 0 V 關斷柵極(ji)電(dian)壓，穩健的(de)(de)體二(er)極(ji)管可實現硬換向，采用 .XT 互(hu)(hu)連技術(shu)，具(ju)有同類良好(hao)的(de)(de)散熱性(xing)(xing)能(neng)，封(feng)裝(zhuang)爬電(dian)距離和間(jian)隙大(da)于 6.1 毫(hao)米，感(gan)應(ying)引腳可優化(hua)開關性(xing)(xing)能(neng)。
效率提高
實現更高頻率
提高功率密度
減少冷卻工作量
降低(di)系統復(fu)雜性和成本(ben)
SMD 封裝(zhuang)可直接(jie)集(ji)成到印刷電(dian)路板上，自然對流冷卻(que)，無(wu)需(xu)額外的散(san)熱片(pian)
產地：德國
封(feng)裝：TO-263-7
漏源電壓VDS ：1200 V
直流漏極電流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max)：4.7 A
脈沖漏極電流，tp 受 Tvjmax 限制，VGS = 18V：17 A
RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V：350 mΩ
虛擬結溫Tvj：-55 ℃ 至(zhi)175 ℃
焊接溫度(du)回流(liu)焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 標準(zhun)）：260 ℃
MOSFET/ 本體二極管熱阻，結點 - 外殼Rth(j-c）：1.8 - 2.3 K/W
熱阻，結點 - 環境Rth(j-a)：62 K/W
輸入電容：196 pF
輸出電容：9 pF
反向(xiang)電容：0.94 pF
Coss儲存能量：3.8 μJ
柵極總電荷：5.9 nC
柵(zha)極至源極電荷：1.5 nC
柵極至漏極電(dian)荷：1.2 nC
電動(dong)(dong)汽車(che)充電、工業電機驅動(dong)(dong)和控(kong)制、光(guang)伏、不間(jian)斷電源 (UPS)
