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采用(yong)(yong) D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝(zhuang)的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基(ji)于先進的溝槽半導體工(gong)藝，該工(gong)藝經過優化(hua)，兼具(ju)性(xing)能和(he)工(gong)作可(ke)靠性(xing)。CoolSiC 技術的低功率損(sun)(sun)耗(hao)與全(quan)新 1200 V 優化(hua) SMD 封裝(zhuang)中(zhong)的 .XT 互連技術相結合(he)，在驅動器、充電(dian)(dian)器和(he)工(gong)業電(dian)(dian)源等應用(yong)(yong)中(zhong)實現了(le)效(xiao)率和(he)被動冷(leng)卻潛(qian)力。開關損(sun)(sun)耗(hao)低，短路耐(nai)受時間為 3 µs，完(wan)全(quan)可(ke)控的 dV/dt，基(ji)準柵極閾值電(dian)(dian)壓(ya) VGS(th) = 4.5 V，對寄(ji)生導通具(ju)有堅(jian)固性(xing)，可(ke)采用(yong)(yong) 0 V 關斷柵極電(dian)(dian)壓(ya)，穩健(jian)的體二極管可(ke)實現硬(ying)換向，采用(yong)(yong) .XT 互連技術，具(ju)有同類良好(hao)的散熱性(xing)能，封裝(zhuang)爬(pa)電(dian)(dian)距(ju)離和(he)間隙大于 6.1 毫米，感應引腳可(ke)優化(hua)開關性(xing)能。
效率提高
實現更高頻率
提高功率密度
減少冷卻工作量
降低系(xi)統(tong)復雜性和成本(ben)
SMD 封裝可直接集成到(dao)印刷電路(lu)板上，自然對流冷卻(que)，無需額外的散熱片(pian)
產地：德國
封裝：TO-263-7
漏源電壓VDS ：1200 V
直流漏極電流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max)：4.7 A
脈沖漏極電流，tp 受 Tvjmax 限制，VGS = 18V：17 A
RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V：350 mΩ
虛擬結溫Tvj：-55 ℃ 至175 ℃
焊接(jie)溫度回流焊接(jie)（MSL1，符(fu)合 JEDEC J-STD-020 標(biao)準）：260 ℃
MOSFET/ 本體二極管熱阻，結點 - 外殼Rth(j-c）：1.8 - 2.3 K/W
熱阻，結點 - 環境Rth(j-a)：62 K/W
輸入電容：196 pF
輸出電容：9 pF
反向電容：0.94 pF
Coss儲(chu)存能量(liang)：3.8 μJ
柵(zha)極總電荷：5.9 nC
柵極至源極電(dian)荷：1.5 nC
柵極(ji)至漏極(ji)電荷：1.2 nC
電動(dong)汽車(che)充(chong)電、工業電機(ji)驅動(dong)和控制、光伏、不間(jian)斷電源 (UPS)
