通(tong)過優化(hua)半(ban)導體(ti)芯片結(jie)構(gou)和光學參數,DILAS T-Bar架構(gou)使用標準微光學快(kuai)軸準直(zhi)器(FAC)和慢軸準直(zhi)器,所有這些都采用自動(dong)化(hua)工藝(yi)組裝,提(ti)供(gong)高光束質量(liang)和高功(gong)率。T-Bar是(shi)一種單片多(duo)發射器源(yuan),允許在每個制(zhi)造步(bu)驟中處理多(duo)個發射器,以降低復雜性并簡(jian)化(hua)制(zhi)造。其結(jie)果是(shi)提(ti)高了再現性、光束質量(liang)和光纖耦合效率。
產地:美國
操作模式:脈沖
技術:固態
光譜:可調諧
波(bo)長(FWHM):806,7nm
線條(tiao)寬度:1.8nm
溫度:25.0℃
電流:32.7 A
中心波長容差:±3 nm
輸出功率:30 W
邊坡效率:>0.80 W/A
波長溫度系數:~0.27nm/°C
數(shu)值(zhi)孔徑:0.22 NA
纖維芯直(zhi)徑(jing):200 µm
帶(dai)獨立光纖頭(tou)的(de)光纖連接器(qi):HP-SMA 905
功率轉(zhuan)換效率:> 38%
閾值電流(Im):< 9 A
工作電(dian)流(Iop):< 50 A
運算電壓(ya)(Vop):<1.9 V
工(gong)作溫度:+20至+30°C
儲存溫度:0至+55°C
散熱器容量:>70 W