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產品介紹
通過優化(hua)半(ban)導體芯片(pian)結構和光(guang)學參數(shu)，DILAS T-Bar架構使(shi)用標準微光(guang)學快軸(zhou)準直器(qi)（FAC）和慢軸(zhou)準直器(qi)，所有(you)這些都采(cai)用自動(dong)化(hua)工藝組裝，提(ti)供(gong)高光(guang)束質量(liang)(liang)和高功率。T-Bar是一種單片(pian)多發射(she)器(qi)源，允許(xu)在每個制造步驟中處理多個發射(she)器(qi)，以降低復雜性(xing)并簡化(hua)制造。其結果是提(ti)高了再現性(xing)、光(guang)束質量(liang)(liang)和光(guang)纖耦合效率。
性能特點
- 耦合效率高
- 高亮度
- 密封外殼
- 200µm NA 0.22的標準光纖耦合器（HP-SMA）
技術參數
產地：美國
操作模式：脈沖
技術：固態
光譜：可調諧
波長（FWHM）：806,7nm
線條寬度：1.8nm
溫度：25.0℃
電流：32.7 A
中心波長容差：±3 nm
輸出功(gong)率：30 W
邊(bian)坡效率(lv)：>0.80 W/A
波長溫(wen)度(du)系數：~0.27nm/°C
數值孔徑：0.22 NA
纖維芯直徑：200 µm
帶獨立光纖頭的光纖連(lian)接器：HP-SMA 905
功率(lv)轉換效率(lv)：> 38%
閾值電流（Im）：< 9 A
工作電流（Iop）：< 50 A
運(yun)算電壓（Vop）：<1.9 V
工(gong)作溫度：+20至+30°C
儲存溫度：0至+55°C
散熱器容量：>70 W
產品參數
