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產品介紹
每個檢測器具有100mm2的(de)有(you)源(yuan)面積和(he)(he)用于在12nm和(he)(he)18nm之(zhi)間進(jin)行(xing)檢測(ce)的(de)直接沉(chen)積的(de)薄膜濾波器。兩種探(tan)測(ce)器在13.5nm處都具(ju)有(you)0.09A/W的(de)典型(xing)響應度，并且(qie)針對(dui)不同的(de)電性能進(jin)行(xing)了優化。光電二極(ji)管非常(chang)(chang)適合用于激光功率監測(ce)、半導體(ti)光刻和(he)(he)利用極(ji)紫外光的(de)計量系統等應用。SXUV100TF135針對(dui)更高速的(de)反向偏置(zhi)電壓(ya)操(cao)作進(jin)行(xing)了優化。該器件(jian)具(ju)有(you)低電容，通常(chang)(chang)為260pF，反向偏置(zhi)電壓(ya)為12伏。
性能特點
- 單個有效區域
- 檢測到1 nm
- 暴露于EUV/UV條件后的穩定響應
- 保護蓋板
技術參數
產地：法國
擊穿電(dian)壓(ya)：25 V
配置：單個
模塊：否
包裝：陶瓷
包裝類型：陶瓷
光電探測器類型(xing)：PN
操作模式：光電導
波長范(fan)圍(wei)：18至80 nm
響應時(shi)間：20 ns
反向電壓(ya)：25 V
光譜帶：紫外線
電容：220至350 pF
暗電(dian)流：8至25 nA
響(xiang)應性/感光度(du)：0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積：100 mm2（10 mm x 10 mm）
工作(zuo)溫度(du)：-10至40℃
儲存溫度：-10至40℃
產品應用
激光功率監測
半導體光刻
計量系統
產品參數
