每個檢測器具有100mm2的(de)(de)有(you)源面積和(he)用(yong)(yong)于(yu)在12nm和(he)18nm之間進(jin)行檢測(ce)(ce)(ce)的(de)(de)直接(jie)沉積的(de)(de)薄(bo)膜(mo)濾波器(qi)。兩種探測(ce)(ce)(ce)器(qi)在13.5nm處(chu)都具有(you)0.09A/W的(de)(de)典型響應(ying)度,并且針對不同(tong)的(de)(de)電性能(neng)進(jin)行了優(you)化(hua)。光(guang)電二極(ji)管非常適合(he)用(yong)(yong)于(yu)激光(guang)功(gong)率監測(ce)(ce)(ce)、半導體光(guang)刻和(he)利用(yong)(yong)極(ji)紫外光(guang)的(de)(de)計(ji)量(liang)系統等(deng)應(ying)用(yong)(yong)。SXUV100TF135針對更(geng)高速(su)的(de)(de)反向(xiang)偏置(zhi)電壓(ya)操作進(jin)行了優(you)化(hua)。該器(qi)件(jian)具有(you)低電容,通常為260pF,反向(xiang)偏置(zhi)電壓(ya)為12伏。
產地:法國
擊穿電壓:25 V
配置:單個
模塊:否
包裝:陶瓷
包裝類型:陶瓷
光電探測器類型:PN
操作模式:光電導
波長(chang)范圍:18至80 nm
響(xiang)應時間:20 ns
反向電壓:25 V
光譜帶:紫外線
電容:220至350 pF
暗電流:8至25 nA
響應(ying)性/感光度:0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積:100 mm2(10 mm x 10 mm)
工作溫(wen)度:-10至40℃
儲存(cun)溫度(du):-10至40℃
激光功率監測
半導體光刻
計量系統