TopGaN 正在制造發射光譜范圍從 400nm 到 461nm 的激光二極管,精度為 +/-2nm。也可根據需要提供 +/-1nm 的精度。這些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封裝的可見光和紫外激光二極管,氮化藍紫色激光二極管的工作電流密度相對較高,為 5-10 kA/cm2。這(zhe)些二極(ji)管的衰(shuai)減主要是通過其(qi)閾值電流的增加而發(fa)生的。
光學輸(shu)出功率:50mW(Tcase= 20°C)
峰(feng)值波長:418 +/- 2 nm @RT
用(yong)于 Cw 和(he)脈沖(chong)操作(zuo)的輻射源
單橫向模(mo)式半導體激光器
產地:波蘭
允許反向電流:1 uA
PD 反(fan)向電壓:5 V
存儲溫度:- 10 至 85 °C
工作外殼溫度:0 至(zhi) 60 °C
光輸出(chu)功率:50 mW
峰值波長(chang):418 +/-2 nm
閾值電流:30 至 60 mA
工(gong)作電流:90 至(zhi) 130 mA
溫度波長偏移:0.05 nm/deg
光束發散 - 快軸:32 °
光(guang)束(shu)發散(san) - 慢軸(zhou):7 °
量子技術和傳感應用