SENTECH SE 500adv 可(ke)(ke)作為激(ji)光橢(tuo)(tuo)偏(pian)(pian)儀(yi)、膜厚探(tan)頭(tou)和(he) CER 橢(tuo)(tuo)圓偏(pian)(pian)振儀(yi)使用。因此,它具有標準(zhun)激(ji)光橢(tuo)(tuo)偏(pian)(pian)儀(yi)所不具備的(de)靈活(huo)性。作為橢(tuo)(tuo)偏(pian)(pian)儀(yi)使用時(shi)(shi),可(ke)(ke)進行單角度和(he)多角度測(ce)量。作為薄膜厚度探(tan)頭(tou)使用時(shi)(shi),可(ke)(ke)在正(zheng)常入射(she)(she)條(tiao)件下測(ce)量透(tou)明或弱吸(xi)收薄膜的(de)厚度。SE 500adv 中(zhong)的(de)橢(tuo)(tuo)偏(pian)(pian)儀(yi)和(he)反(fan)射(she)(she)儀(yi)(CER)組合包(bao)括橢(tuo)(tuo)偏(pian)(pian)儀(yi)光學鏡(jing)組、測(ce)角儀(yi)、組合式(shi)反(fan)射(she)(she)測(ce)量頭(tou)和(he)自動準(zhun)直望(wang)遠鏡(jing)、樣品平(ping)臺(tai)、氦氖激(ji)光源(yuan)、激(ji)光光檢測(ce)單元(yuan)和(he)光度計。
產地:德國
波長:632.8 nm HeNe 激光器(< 1mW)
薄(bo)膜厚度(du)精度(du):硅(gui)上 100 納(na)米二氧化硅(gui)的 0.01 納(na)米
折射率精度偏差:5x10-4(100 nm SiO2 on Si)
透明層(ceng)的總厚度范(fan)圍:max.6 µm
弱吸收層(多晶硅(gui))的總厚度范圍(wei):max.2 µm
默認層數:層疊(die)或基底上的 1-3 層
測量時(shi)間:120 毫秒(miao) ..... 1.5 秒(miao)(取決于測量模式)
激光束直(zhi)徑:1 毫米
入射角:手動測角儀
40° - 90°,以(yi) 5° 為單位設置
樣(yang)品校(xiao)準:自動準直望遠鏡 (ACT),用于調整樣(yang)品傾(qing)斜度(du)(du)和高度(du)(du)
測繪范(fan)圍達 200 毫(hao)米
用于現場測量的(de)液體電池
攝像機
自動對焦
電動測角儀
SpectraRay 4.0 仿真軟件
經過認證的標準晶片