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NTT Innovative Devices二極管模塊FMB

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產品介紹

IOD-FMB-18001模塊(kuai)是應用超(chao)低噪聲平方律檢測的(de)理想(xiang)選擇。獲(huo)得的(de)電壓靈敏度在300GHz時高達2MV/W，在1THz時高達0.2MV/W。

噪聲等效(xiao)功率（NEP）估(gu)計在300GHz時(shi)低(di)至(zhi)5.0pW/Hz0.5，在1THz時(shi)低(di)至(zhi)45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier（FMB）二(er)極(ji)管(guan)模塊是一種(zhong)基于InP/InGaAs異質結構(gou)的(de)超低噪聲太赫(he)茲探測(ce)器。代替肖(xiao)特基勢壘二(er)極(ji)管(guan)（SBD）中(zhong)的(de)金(jin)屬/半導體界(jie)面，在FMB二(er)極(ji)管(guan)中(zhong)使用InGaAs/InP異質界(jie)面（勢壘高度(du)～100meV）。

此低(di)勢壘高度(du)提供低(di)二極管差分(fen)電阻（Rd）以及(ji)二極管與寬帶蝴蝶結天線之(zhi)間的良好阻抗匹配。

性能特點

異質勢壘結構由(you)(you)n-InGaAs、未摻雜(za)的(de)InP和n-InP層組(zu)成。由(you)(you)于高摻雜(za)n-InGaAs中的(de)費米(mi)能級可以(yi)遠高于導帶邊(bian)緣，這(zhe)取決(jue)于載流子密(mi)度(du)，異質界面處的(de)勢壘高度(du)（ΦBn）可以(yi)降低(di)到100meV或更小(xiao)。由(you)(you)于低(di)勢壘高度(du)，FMB二(er)極管(guan)產生約5.0pW/Hz0.5的(de)良好NEP。

技術參數
  • 型號：IOD-FMB-18001
  • 模塊配置：帶運算放大器的零偏置FMB二極管
  • 天線類型：自帶蝴蝶結天線
  • 透鏡類型和直徑：超半球形（直徑10mm）
  • 太赫茲帶寬：>200GHz
  • 前置放大器類型：低噪聲運算放大器
  • 前置放大器帶寬：20Hz-15kHz
  • 輸出連接器：SMA（內螺紋）
  • 電源：DC±5V
  • 產地：日本

噪聲等效(xiao)功率（NEP）：

  • 5pW/sqrt（Hz）@300GHz
  • 1000GHz時為45pW/sqrt（Hz）

電壓靈敏度：

  • 2MV/W@300GHz
  • 0.2MV/W@1000GHz
產品尺寸

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