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NTT Innovative Devices二極管模塊FMB

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產品介紹

IOD-FMB-18001模塊(kuai)是應用超低噪(zao)聲(sheng)平方律檢測的理(li)想(xiang)選擇。獲得的電壓靈敏(min)度在300GHz時高(gao)達2MV/W,在1THz時高(gao)達0.2MV/W。

噪聲等效功率(NEP)估計在300GHz時低至5.0pW/Hz0.5,在1THz時低至45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier(FMB)二極(ji)管(guan)模塊(kuai)是一(yi)種基于InP/InGaAs異質(zhi)結構的超低(di)噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢(shi)壘(lei)二極(ji)管(guan)(SBD)中的金屬(shu)/半導體界面(mian),在FMB二極(ji)管(guan)中使用InGaAs/InP異質(zhi)界面(mian)(勢(shi)壘(lei)高度~100meV)。

此低勢壘高度提供低二極(ji)管差(cha)分電阻(Rd)以及二極(ji)管與(yu)寬帶蝴(hu)蝶結天線之間的良好阻抗匹(pi)配。

性能特點

異(yi)質勢壘結(jie)構由(you)(you)n-InGaAs、未摻雜(za)的(de)InP和n-InP層組(zu)成。由(you)(you)于高摻雜(za)n-InGaAs中的(de)費米(mi)能級可(ke)以遠高于導(dao)帶邊緣(yuan),這取決(jue)于載流子(zi)密度,異(yi)質界面處的(de)勢壘高度(ΦBn)可(ke)以降低(di)到100meV或更小。由(you)(you)于低(di)勢壘高度,FMB二(er)極管產生約5.0pW/Hz0.5的(de)良好NEP。

技術參數
  • 型號:IOD-FMB-18001
  • 模塊配置:帶運算放大器的零偏置FMB二極管
  • 天線類型:自帶蝴蝶結天線
  • 透鏡類型和直徑:超半球形(直徑10mm)
  • 太赫茲帶寬:>200GHz
  • 前置放大器類型:低噪聲運算放大器
  • 前置放大器帶寬:20Hz-15kHz
  • 輸出連接器:SMA(內螺紋)
  • 電源:DC±5V
  • 產地:日本

噪聲等效功率(NEP):

  • 5pW/sqrt(Hz)@300GHz
  • 1000GHz時為45pW/sqrt(Hz)

電壓靈敏度:

  • 2MV/W@300GHz
  • 0.2MV/W@1000GHz
產品尺寸

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