IOD-FMB-18001模塊(kuai)是應用超低噪(zao)聲(sheng)平方律檢測的理(li)想(xiang)選擇。獲得的電壓靈敏(min)度在300GHz時高(gao)達2MV/W,在1THz時高(gao)達0.2MV/W。
噪聲等效功率(NEP)估計在300GHz時低至5.0pW/Hz0.5,在1THz時低至45pW/Hz 0.5。
Femi-level managed barrier(FMB)二極(ji)管(guan)模塊(kuai)是一(yi)種基于InP/InGaAs異質(zhi)結構的超低(di)噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢(shi)壘(lei)二極(ji)管(guan)(SBD)中的金屬(shu)/半導體界面(mian),在FMB二極(ji)管(guan)中使用InGaAs/InP異質(zhi)界面(mian)(勢(shi)壘(lei)高度~100meV)。
此低勢壘高度提供低二極(ji)管差(cha)分電阻(Rd)以及二極(ji)管與(yu)寬帶蝴(hu)蝶結天線之間的良好阻抗匹(pi)配。
異(yi)質勢壘結(jie)構由(you)(you)n-InGaAs、未摻雜(za)的(de)InP和n-InP層組(zu)成。由(you)(you)于高摻雜(za)n-InGaAs中的(de)費米(mi)能級可(ke)以遠高于導(dao)帶邊緣(yuan),這取決(jue)于載流子(zi)密度,異(yi)質界面處的(de)勢壘高度(ΦBn)可(ke)以降低(di)到100meV或更小。由(you)(you)于低(di)勢壘高度,FMB二(er)極管產生約5.0pW/Hz0.5的(de)良好NEP。
噪聲等效功率(NEP):
電壓靈敏度: